2013江苏高中物理教研活动资料：量子反常霍耳效应（共计14张）.ppt

量子反常霍耳效应 华东师范大学 钱振华 （一）霍耳效应 1897年美国科学家霍耳发现，当电流通过在磁场中的导体板时，如图导体板两侧a、b上产生电势差UH，这就是所谓的霍耳效应，该电势差叫做霍耳电压。  利用洛仑兹力与电场力平衡 quB=qUH/l 而 I=ldnqu 或u=I/ldqn 因此 UH=BI/nqd=1/nq?BI/d=kBI/d 其中n为单位体积内的载流子数 k称为霍耳系数，与n成反比 金属的k很小（因n很大） 半导体的k大很多（因n较小），半导体材料制成的霍耳片可作各种测量，如B，T，V…等 （二）量子霍耳效应 20世纪70年代以来，半导体技术发展很快，半导体物理学中兴起一个崭新的领域 ----二维电子系统。 特点：在薄层内的电子被限制在很窄的势阱中，因此在与表面垂直方向上，形成一系列的能级，运动状态是量子化的，而在与表面平行方向上的电子运动是完全自由的。 霍耳电阻 在半导体中常把霍耳电压与垂直于霍耳电场方向的电流之比称为该样品的霍耳电阻RH，即 RH=UH/I=1/nq?B/d=B/nsq 其中ns=nd为载流子的面密度 1980年德国维尔兹堡大学的年青物理学家克里青在低温（约几K）、强磁场（约1T-10T）下研究二维电子系统的霍耳效