NAND控制器说明文档091103.docVIP

NAND FLASH接口特性 支持JEDEC标准的NAND FLASH； 提供一个独立的NAND FLASH片选； 支持由NAND FLASH直接启动，硬线实现参数配置； 支持8bit NAND FLASH； 支持3级到5级地址； 支持硬件和软件ECC； NAND FLASH时序参数可配，默认为最大，若用户需要提高NAND FLASH的效率，可以根据NAND FLASH的特性以及下文所附的时序图改变下列参数； tCLHCLE Hold时间； tALHALE Hold时间； tWHWE高电平最小时间； tARALE to RE的最小时间； tRPRE脉冲的最小时间； tREHRE高电平的最小时间； tWPWE脉冲的最小时间； tWHRWE高到RE低的时间； tWBWE高到采样R/B的最小时间； tRRR/B高到RE低的最小时间；大小支持512byte2Kbyte；只支持对单个page的操作，即每次写都是一个page，支持三种读命令（全页，半页，校验位） 访问顺序：先配置DMAC，配置NAND FLASH地址寄存器/控制字寄存器，最后配置命令寄存器，从而完成对NAND FLASH 数据的读写。 支持Ready/busy 不支持write protect，硬件强制对WP位置高； 支持NAND FLASH命令列，具体如下： 11 512BYTE/PAGE NANDFLASH支持的命令 Function 1st.Cycle 2nd.Cycle Acceptable during Busy READ1 00/01h - READ2 50h - READ ID 90h - RESET FFh - √ PAGE PROGRAM 80h 10h COPY-BACK PROGRAM 00h 8Ah LOCK 2Ah - UNLOCK 23h 24h LOCK-TIGHT 2Ch - READ BLOCK LOCK STATUS 7Ah - BLOCK ERASE 60h D0h READ STATUS 70h - √ 表格 12 2K BYTE/PAGE NANDFLASH支持的命令 Function 1st.Cycle 2nd.Cycle Acceptable during Busy READ 00h 30h READ FOR COPY BACK 00h 35h READ ID 90h - RESET FFh - √ PAGE PROGRAM 80h 10h CACHE PROGRAM 80h 15h COPY-BACK PROGRAM 00h 10h BLOCK ERASE 60h D0h RANDOM DATA INPUT 85h - RANDOM DATA OUTPUT 05h E0h READ STATUS 70h - √ 命令的第一个Cycle由用户程序发出，第二个Cycle由NAND 控制器自动发出。 NAND FLASH驱动信号时序 以1 页 512 byte 为例 ，列出的阴影部分为可配置参数：2k byte 的情况与此类似） 图 18 命令字锁存时序 图 19 地址锁存时序 图 110 数据输入锁存时序 图 111 读状态时序 图 112 Read1 操作 图 1-13 Random Data Output操作 图 114 Page Program 操作 图 115 块擦除操作 图 116 读ID信息操作 图 1-17 reset操作 编程接口 寄存器列表14 EMI寄存器列表 名地址 描述 0xC0 0NAND FLASH 的地址寄存器 NAND_COM 0xC4 0NAND FLASH 的控制字寄存器 N0xC8 0NAND FLASH 的状态寄存器 E0xCC 0读操作出错的地址寄存器1 ERR_ADDR20xD0 0读操作出错的地址寄存器2 N0xD4 0NAND FLASH 的配置器存器 NAND_INTR 0xD8 0NAND FLASH中断寄存器 NANDECC 0xDC 0ECC校验完成寄存器 NANDIDLE 0xE0 0NAND FLASH空闲寄存器 N2 0xE4 0NAND FLASH 的配置器存器 NAND_ADDR2 0xE8 0NAND FLASH 的地址寄存器 NAND_ID1 0xEC 0NAND FLASH的ID寄存器 N