晶体硅太阳能电池PECVDSiNx.doc

晶体硅太阳能电池PECVD SiNx：H薄膜工艺研究  HYPERLINK /home.php?mod=spacecpac=favoritetype=articleid=3888handlekey=favoritearticlehk_3888 收藏  HYPERLINK /home.php?mod=spacecpac=sharetype=articleid=3888handlekey=sharearticlehk_3888 分享 2011-6-2 16:56| 发布者:  HYPERLINK /space-uid-145621.html 么西么西| 查看数: 3631| 评论数: 0 摘要: 　　PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition)即等离子体增强化学气相沉积是晶体硅太阳能电池制造过程中的一个重要环节，其作用是在晶体硅电池表面镀一层具有减反射效果同时又具有对电池体、表面进行钝化作 ... 　　PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition)即等离子体增强化学气相沉积是晶体硅太阳能电池制造过程中的一个重要环节，其作用是在晶体硅电池表面镀一层具有减反射效果同时又具有对电池体、表面???行钝化作用的薄膜。目前应用在工业化生产上的PECVD类型有直接沉积型(Direct Plasma)PECVD和间接沉积型(IndirectPlasma)PECVDEs]，其所使用设备的典型代表，前者如德国的Centrotherm，后者如德国的RothRau。Direct Plasma PECVD凭借其出色的减反钝化效果受到多晶硅生产厂家更多的青睐，而Indirect Plas-ma PECVD凭借其优越的产能在目前晶体硅太阳能电池行业中也占有一席之位。 　　一、PECVD沉积SiNx：H膜原理 　　PECVD原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的电极上，通人适量的高纯度反应气体SiH4。和NH3。利用辉光放电气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态SiNx：H薄膜。PECVD过程中Sill；和NH。反应生成SiNx：H是1个非常复杂的化学反应过程，其主要过程如下： 　　二、试验与结果分析 　　1、 工艺温度和工艺气体流量对SiNx：H膜厚度和折射率的影响 　　本试验选择在RothRau PECVD设备上进行，研究不同工艺温度和工艺气体流量对SiNx：H膜厚度d、折射率n的影响规律。在其他工艺参数保持不变的情况下，分别改变温度和SiH4。流量，温度和SiH4。流量的变化范围在设备要求范围内。结果如图1、图2所示。 　　从图1可以发现，随着沉积温度升高，SiNx：H膜的厚度变大，超过430℃后，膜的厚度有所下降。在410～440℃范围内，折射率没有明显变化规律。从图2可以发现，随着SiH4。流量的增加，膜的折射率和厚度呈现明显上升趋势，说明SiH4流量的增加可以有效提升膜的沉积速率。SiNx：H的折射率n直接决定其对太阳光的吸收程度，所以工艺过程中SiH4。流量的控制很重要。 　　2、工艺气体流量和射频功率对主要电性能参数的影响 　　本试验选择在Centrotherm PECVD设备上进行，研究射频功率、工艺气体流量对多晶硅电池开路电压Uoc，短路电流Isc以及光电转换效率Ncell的影响。（1）工艺气体流量比对主要电性能参数的影响 　　本试验在保持NH3流量不变时，改变工艺气体流量比，在设备容许范围内根据实际情况改变SiH4。流量，同时其他工艺参数保持不变。对象为多晶硅太阳能电池。结果如图3、图4所示。- 　　从图3、图4可以看出，随着SiH4流量的减少，光电转换效率先增加、然后减小。在NH3／SiH4。为11时，Uoc、Isc和Ncell达到了最大值，说明在2种工艺气体比例为11时所镀出的SiNx：H膜与前后道工艺匹配最好，可以达到最佳钝化减反射效果。 　　（2）射频功率对主要电性能参数的影响 　　本试验在保持其他工艺参数不变的前提下，在设备所容许的射频功率范围内，使用不同的射频功率验证其对电性能参数的影响。对象为多晶硅太阳能电池。结果如图5、图6所示。 　　从图5、图6可以看出，随着射频功率从2800W增加至3700W，电池的光电转换效率、开路电压Uoc以及短路电流Isc均成上升趋势，说明随着功率的上升，SiNx：H膜的减反射和钝化效果得到了提升，但是当射频功率超过3700 W时，Ncell和Isc均有下降趋势，Uoc在功率超过4000 W时下降。说明射频功率过高，反而影响到了SiNx：H膜的钝化效果，致使UOC和Ncell下降。 　　3、 PECVD对晶体硅电池少子寿命的影响 　　本试验选