电工学第六版秦曾煌优秀课件changxiaoyingguan.ppt

从输出特性曲线可得 uGS ＝10V时d-s之间的等效电阻 (D在可变电阻区，任选一点，如图) 所以输出电压为 　 晶体管 场效应管 结构 NPN型、PNP型 结型耗尽型 N沟道 P沟道 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 C与E一般不可倒置使用 D与S有的型号可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子运动 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流源 CCCS(β) 电压控制电流源 VCCS(gm) 1.4.4 场效应管与晶体管的比较 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温　　　　　　　　　　　　　　度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和　　　　　　　　　　　　　　　超大规模集成　　 晶体管 场效应管 一、单结晶体管的结构和等效电路 N 型硅片 P 区 PN 结 e b1 b2 单结晶体管又称为双基极晶体管。 (a)结构 (b)符号 (C)等效电路 　单结管的结构及符号 1.5　单结晶体管和晶闸管 1.5.1单结晶体管 特性： + - UA + - UD + - UEB1 + - UBB ——分压比 O UEB1 IE A P V B IP UP 截止区 负阻区 饱和区 峰点 UP：峰点电压 IP：峰点电流 谷点 UV：谷点电压 IV：谷点电流 二、单结管的脉冲发生电路 　单结管的脉冲发生电路 三、单结管的触发电路 三、应用举例：单结管的脉冲发生电路 　单结管的脉冲发生电路 1.5.2　晶闸管 一、结构和等效模型 　晶闸管的结构和符号 C C C 阳极 阴极 控制极 二、工作原理 　　1. 控制极不加电压，无论在阳极与阴极之间加正向或反向电压，晶闸管都不导通。 ——称为阻断 　　2. 控制极与阴极间加正向电压，阳极与阴极之间加正向电压，晶闸管导通。 P N P IG β1 β2IG β1IG C N P N C C 结论： 　　晶闸管由阻断变为导通的条件是在阳极和阴极之间　　加正向电压时，再在控制极加一个正的触发脉冲； 　　晶闸管由导通变为阻断的条件是减小阳极电流 IA ，　　或改变A-C电压极性的方法实现。 　　晶闸管导通后，管压降很小，约为 0.6~1.2 V 左右。 三、晶闸管的伏安特性 1. 伏安特性 O UAK IA UBO A B C IH IG= 0 　　正向阻断特性：当 IG= 0 ，而阳极电压不超过一定值时，管子处于阻断状态。 UBO ——正向转折电压 　　正向导通特性：管子导通后，伏安特性与二极管的正向特性相似。 IH ——维持电流 　　当控制极电流 IG ? 0 时， 使晶闸管由阻断变为导通所需的阳极电压减小。 IG 增大 反向特性：与二极管的反向特性相似。 UBR 晶闸管的伏安特性曲线 四、晶闸管的 主要参数 1.额定正向平均电流 IF 2.维持电流 IH 3.触发电压 UG和触发电流 IG 4.正向重复峰值电压 UDRM 5.反向重复峰值电压 URRM 其它：正向平均电压、控制极反向电压等。 例：单相桥式可控整流电路 + - uG 　　在 u2 正半周，当控制极加触发脉冲，VT1 和 VD2 导通； 　　在 u2 负半周，当控制极加触发脉冲，VT2和 VD1 导通； α θ ?：控制角； ?：导电角 小 结 第 1 章 一、两种半导体和两种载流子 两种载流 子的运动 电子 空穴 两 种 半导体 N 型 (多电子) P 型 (多空穴) 二、二极管 1. 特性 — 单向导电 正向电阻小(理想为 0)，反向电阻大(?)。 iD O uD U (BR) I F URM 2. 主要参数 正向 — 最大平均电流 IF 反向 — 最大反向工作电压 U(BR)(超过则击穿) 反向饱和电流 IR (IS)(受温度影响) IS 3. 二极管的等效模型 理想模型 (大信号状态采用) uD iD 正偏导通 电压降为零 相当于理想开关闭合 反偏截止 电流为零 相当于理想开关断开 恒压降模型 UD(on) 正偏电压 ? UD(on) 时导通 等效为恒压源UD(on) 否则截止，相当于二极管支路断开 UD(on) = (0.6 ? 0.8) V 估算时取 0.7 V 硅管： 锗管： (0.1 ? 0.3) V 0.2 V 折线近似模型 相当于有内