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蓝宝石材料 REC 申请号=C9 名称=人造蓝宝石表面内拱度磨削机床 申请（专利权）人=张元胜 发明（设计）人=张元胜 申请日=1998.05.28 地址=518034广东省深圳市商报路天健工业区8栋4楼悦目光学公司 摘要=本实用新型涉及石料或类似材料的磨削设备，尤 其是进行曲面磨削的设备。它由电机和传动件带动砂轮沿着与 主轴同轴的圆桶内侧既作往返直线运动又作转动；同时，圆桶 内粘贴被磨削物(如人造蓝宝石表面)，使砂轮在运动时对其内 拱面产生磨削。该设备对砂轮的弧度不需作严格限定，其加工 精度不受砂轮弧度的限制，而由测量精度决定，可达到 0.05mm；亦无需频繁更换砂轮，还可实现一次多片加工。 REC 申请号=C8 名称=人造蓝宝石气体放电器件的封装端 申请（专利权）人=卢义生 发明（设计）人=卢义生;俞鹤庆 申请日=1989.05.09 地址=江苏省南京市五所村310-2-710室 摘要=本发明提出的是一种气体放电器件采用人造蓝 宝石管、塞、环的封装结构——人造蓝宝石气体放电 器件的封装端。管、塞、环系采用同一晶向(C轴)生 长的人造蓝宝石材料，它可有效地提高放电器件的寿 命和性能。实现人造蓝宝石气体放电器件的研究进 入广泛应用的实用阶段。它可用于各系列的高压金 属蒸气放电灯和普通高压钠灯和高显色性高压钠灯 以及钾铷激光光泵等。 REC 申请号=CN200510003405.1 名称=蓝宝石基无掩膜横向外延生长高质量的Ⅲ族氮化物薄膜 申请（专利权）人=深圳大学; 发明（设计）人=彭冬生;冯玉春;牛憨笨;王文欣 申请日=2005.12.29 地址=518060广东省深圳市南山区南海大道2336号 摘要=一种蓝宝石衬底上无掩膜横向外延生长高质量的III族氮化物薄膜的新技术，该技术采用化学腐蚀的方法腐蚀蓝宝石衬底，以形成一定图案的蓝宝石衬底1，提供横向外延基底，缓冲层2为低温GaN薄膜，3为横向外延生长的高温GaN薄膜。缓冲层2首先在没有腐蚀坑位置的蓝宝石衬底1处外延生长，形成一定的籽晶，在籽晶处外延生长的同时，改变外延生长工艺条件，使其横向外延，以使两翼在腐蚀坑处翼合，形成高质量、低位错密度的GaN薄膜3，这样就可以在GaN薄膜3上沉积高质量的III族氮化物薄膜4。这种横向外延技术不仅可以降低位错密度，而且克服了传统横向外延技术工艺复杂和晶向倾斜高的缺点。 REC 申请号=C1 名称=将掺杂的多晶材料转化成单晶材料 申请（专利权）人=通用电气公司 发明（设计）人=柯蒂斯·E·斯科特;玛丽·S·卡利赛夫斯基;莱昂内尔·M·莱维森 申请日=1995.02.14 地址=美国纽约州 摘要=将多晶陶瓷体转变成单晶体的固相方法，用能提 高转化的掺杂剂掺杂多晶陶瓷材料，在选定温度下加 热多晶体至足以将多晶体转变成单晶的时间。所择 温度低于多晶材料的熔化温度，但高于该材料熔化温 度的一半。所述掺杂剂的实例包括+3价阳离子如 铬、镓和钛。多晶体还可以被不均匀地掺杂，以形成 掺杂至预定掺杂剂量的第一部分多晶体和未掺杂的 第二部分，以致加热掺杂多晶体会使第一部分转化成 单晶结构，而第二部分仍保持多晶结构。 REC 申请号=CN200610088287.3 名称=铟镓氮外延薄膜及生长方法和在太阳能电池的应用 申请（专利权）人=南京大学 发明（设计）人=谢自力;张荣;刘斌;韩平;修向前;文博;刘成祥;赵红;郑有炓;顾书林;江若琏;施毅;朱顺明;胡立群 申请日=2006.07.07 地址=210093江苏省南京市汉口路22号 摘要=高结晶铟镓氮单晶外延膜，在蓝宝石衬底先设有 GaN缓冲层，且为20－200nm的低温GaN缓冲层；然后生长 厚度可达到1－80μm的高结晶的 InSUBx/SUBGaSUB1－ x/SUB (0≤x≤1)材料。高结晶铟镓氮单晶外延膜的 生长方法，在蓝宝石衬底上利用MOCVD系统先生长GaN缓 冲层，在500－700℃温度范围生长厚度在20－200nm的低温 GaN缓冲层；然后利用MOCVD生长高结晶的 InSUBx/SUBGaSUB1－ x/SUBN材料；接着在GaN缓冲层上以500－1050 ℃生长高质量 InSUBx/SUBGaSUB1－ x/SUBN材料；生长压力在0－700Torr，尤其控制在 300－700Torr；其中0≤X≤1材料厚度1μm以上。太阳能电 池采用材料 InSUB0..3/SUBGaSUB0.7/CNI PR:SUBN薄膜，电极采用MSM结构。 REC 申请号=CX 名称=包含透镜的手表面玻璃及该透镜的制造方法 申请（专利权）人=科马杜尔公司 发明（设计）人=G·德拉布雷 申请日=1999.04.01 地址=瑞士洛科 摘要