晶体的长大.ppt

§3.4.1 晶体长大的条件 §3.4.2 液-固界面的微观结构 §3.4.2 液-固界面的微观结构 §3.4.3 晶体长大的机制 §3.4.3 晶体长大的机制 §3.4.3 晶体长大的机制 §3.4.3 晶体长大的机制 §3.4.4 晶体长大的形态 §3.4.4 晶体长大的形态 §3.4.4 晶体长大的形态 §3.4.4 晶体长大的形态 (*) * 1 7 6 5 3 2 8 9 4 第四节 晶体的长大 晶体长大：液体中原子迁移到晶体表面，即液-固界面向液体中推移的过程。 平衡状态：(dN/dT)M=(dN/dT)F 动态过冷：晶核长大所需的界面过冷度。（远小于形核所需过冷度） 晶核长大条件：动态过冷、合适的晶核表面结构 Ti 温度对熔化和凝固速度的影响 第四节 晶体的长大 光滑界面：液-固界面上的原子排列较规则，界面处两相截然分开。微观上界面光滑，宏观上有若干小平面。 粗糙界面：液-固界面上的原子排列较混乱，原子分布高低不平整，在几个原子厚度的界面上，液、固两相原子各占位置的一半。宏观上界面平直。 稳定长大过程，界面能量始终保持最低。 两种能量低的界面结构：光滑界面，粗糙界面 第四节 晶体的长大 理论证明： 界面粗糙化时，界面自由能的相对变化： △Gs/(NkTm)=αx(1-x)+xlnx+(1-x)ln(1-x) α=ξLm/(kTm) ξ为晶体学因子，晶面原子密度小， ξ小。 α ≤2时，x=0.5处，界面能最小，粗糙界面 α ≥5时，x靠近0或1处界面能最小，光滑界面 第四节 晶体的长大 3.4.3.1 垂直长大方式 粗糙界面结构，垂直于界面方向长大。 特点：长大速度相当快，过冷度小。 这种机制适用于多数金属。 晶体长大机制：液态原子向固相表面的添加方式。 与固-液界面结构有关 晶体长大方式：垂直长大，横向长大 第四节 晶体的长大 晶体长大方式：垂直长大，横向长大 3.4.3.2 横向长大方式(台阶生长机制) 光滑界面结构，依靠小台阶接纳液态原子。 长大速度较慢，所需过冷度较垂直长大高 第四节 晶体的长大 晶体长大方式：垂直长大，横向长大 3.4.3.2 横向长大方式(台阶生长机制) 二维晶核台阶生长机制：均匀形核-二维晶核-横向长大 特点：长大不连续，速度慢 晶体缺陷台阶生长机制：依靠螺型位错或孪晶面生长 特点：长大连续，速度较慢 第四节 晶体的长大 一个晶粒各个界面长大速度不一致，以平均值表示晶体长大速率。 晶体长大速率与过冷度的关系： 第四节 晶体的长大 长大形态：长大过程中液-固界面的形态。 两种：平面状长大，树枝状长大 取决于：液-固界面结构的类型，界面前沿液相中温度分布 3.4.4.1 液-固界面前沿液相中的温度梯度 正温度梯度：液相中，距液-固界面越远，温度越高。 负温度梯度：液相中，距液-固界面越远，温度越低。 固 液 第四节 晶体的长大 将纯锡熔化，注入模中，缓慢冷却，液体过冷（线1）， 由模壁形核，向液体中成长，释放潜热，界面温度升高， 前沿液体中成现负温度梯度。 第四节 晶体的长大 3.4.4.2 平面状长大形态 液-固界面始终保持平直的表面向液相中长大，长大中的晶体也一直保持规则的形态。 条件：正温度梯度，粗糙界面结构的晶体为主 第四节 晶体的长大 3.4.4.2 平面状长大形态 3.4.4.3 树枝状长大形态 液-固界面不断分支发展 条件：负温度梯度 特点：有方向性，取决于晶体结构 枝臂间距：邻近的两根二次轴中心线之间的距离。 冷却速度大，枝臂间距小，强度、塑性好 金属 结晶 理论 晶核的 形成 晶核的 长大 条件 热力学条件：过冷度 临界过冷度 结构条件：结构起伏（相起伏） 临界晶核 能量条件：能量起伏 临界形核功 方式 均匀形核：形核率受过冷度影响 非均匀形核：形核率受过冷度、杂质结构 及表面形貌影响 参数：形核率 条件：动态过冷度 机制 垂直长大：粗糙界面 横向长大：光滑界面 二维晶核台阶机制 晶体缺陷台阶机制 形态 平面状长大：正温度梯度，粗糙界面为主 树枝状长大：负温度梯度，粗糙界面 参数：长大速度，与界面结构、过冷度有关 (*) * 1 7 6 5 3 2 8 9 4