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6-OLED器件设计
有机电致发光材料与器件
六、OLED器件设计
Top Emitting OLED
顶发射OLED
OLED的驱动方式
无源驱动: 结构简单,成本低,但
驱动电压高,寿命短,不适于用于大
尺寸和高清晰显示。
有源驱动: 结构复杂,技术门槛
高,成本高,但驱动电压低,功耗
低,适用于高清晰和大尺寸显示。
底发射:开口率低,电流密度大,加速器件老化。
顶发射:
1、提高有源 OLED开口率
2、硅基微显示
硅基微显示的重要应用:近眼显示
尺寸小 可穿戴电脑
分辨率高
功耗低
第三代手机
头戴式DVD影院
军事
其它领域:医疗器械、采矿
Transparent OLED
OLED的透明阴极
金属作为半透明阴极
优点:
容易生长、制作工艺简单、破坏性小
效率与寿命的矛盾
• 引入活泼金属,提高电子注入
• 保护层金属的透过率与器件的稳定性
Ag(4.26 eV) , Al(4.28 eV), In(4.12 eV) , Ca(2.87eV), Mg(3.66 eV), Li(2.9 eV)……
OLED的透明阴极
Mg:Ag (10 nm)/ITO (40 nm)
OLED的透明阴极
Mg:Ag (10 nm)/ITO (40 nm)
OLED的透明阴极
Mg:Ag (10 nm)/ITO (40 nm)
溅射ITO的功率5W,沉积速率0.3
nm/min,溅射40 nm需要2hours。
薄金属层不足以阻挡溅射过程对有
机层的破坏,分子键被打断,能级发
生变化。
OLED的透明阴极
CuPc/ITO
APL 72(1998)2138
OLED的透明阴极
CuPc/ITO
OLED的透明阴极
CuPc/ITO
Metal-free TOLED: CuPc/ITO
TOLED : Mg:Ag/ITO
OLED的透明阴极
CuPc/Li/ITO
APL 74(1999)3209
ITO/BCP/Li or ITO/Li/BCP
APL 76(2000)2128
ITO/BCP/Li or ITO/Li/BCP
ITO/BCP/Li or ITO/Li/BCP
溅射功率50W,沉积速率18nm/min。
顶发射OLED的阳极
高反射率
高功函数
Au(5.1)、Ni(5.15)、Pt(5.65)
功函数高,但反射率只有50%-60%;
Ag(4.26)、Al(4.28)
反射率90%以上,但功函数稍低,需要搭配合适功函数的
材料; Al/ITO 、Ag/ITO 、Al/Ni 、Al/Pt
或者使用适合的空穴注入材料,如CFx、MoOx;
利用UV-ozone处理Ag表面,形成薄层Ag2O ,功函数(4.8-5.1eV);
微腔效应
特定波长的光在符合共振腔模式后,以特定的角度出射,光波
的半高宽变窄,不同角度的光强和波长不同。
底发射器件:阴极高反射率,阳极高透过率,大部分光直
接从透明电极出射,一部分由高反射率的电极全反射,
顶发射器件:阴极为半透明金属,光的反射增加,造成多
光束干涉,微腔效应更明显。发光颜色和发光强度会随视
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