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6-OLED器件设计

有机电致发光材料与器件 六、OLED器件设计 Top Emitting OLED 顶发射OLED OLED的驱动方式 无源驱动: 结构简单,成本低,但 驱动电压高,寿命短,不适于用于大 尺寸和高清晰显示。 有源驱动: 结构复杂,技术门槛 高,成本高,但驱动电压低,功耗 低,适用于高清晰和大尺寸显示。 底发射:开口率低,电流密度大,加速器件老化。 顶发射: 1、提高有源 OLED开口率 2、硅基微显示 硅基微显示的重要应用:近眼显示 尺寸小 可穿戴电脑 分辨率高 功耗低 第三代手机 头戴式DVD影院 军事 其它领域:医疗器械、采矿 Transparent OLED OLED的透明阴极 金属作为半透明阴极 优点: 容易生长、制作工艺简单、破坏性小 效率与寿命的矛盾 • 引入活泼金属,提高电子注入 • 保护层金属的透过率与器件的稳定性 Ag(4.26 eV) , Al(4.28 eV), In(4.12 eV) , Ca(2.87eV), Mg(3.66 eV), Li(2.9 eV)…… OLED的透明阴极 Mg:Ag (10 nm)/ITO (40 nm) OLED的透明阴极 Mg:Ag (10 nm)/ITO (40 nm) OLED的透明阴极 Mg:Ag (10 nm)/ITO (40 nm) 溅射ITO的功率5W,沉积速率0.3 nm/min,溅射40 nm需要2hours。 薄金属层不足以阻挡溅射过程对有 机层的破坏,分子键被打断,能级发 生变化。 OLED的透明阴极 CuPc/ITO APL 72(1998)2138 OLED的透明阴极 CuPc/ITO OLED的透明阴极 CuPc/ITO Metal-free TOLED: CuPc/ITO TOLED : Mg:Ag/ITO OLED的透明阴极 CuPc/Li/ITO APL 74(1999)3209 ITO/BCP/Li or ITO/Li/BCP APL 76(2000)2128 ITO/BCP/Li or ITO/Li/BCP ITO/BCP/Li or ITO/Li/BCP 溅射功率50W,沉积速率18nm/min。 顶发射OLED的阳极 高反射率 高功函数 Au(5.1)、Ni(5.15)、Pt(5.65) 功函数高,但反射率只有50%-60%; Ag(4.26)、Al(4.28) 反射率90%以上,但功函数稍低,需要搭配合适功函数的 材料; Al/ITO 、Ag/ITO 、Al/Ni 、Al/Pt 或者使用适合的空穴注入材料,如CFx、MoOx; 利用UV-ozone处理Ag表面,形成薄层Ag2O ,功函数(4.8-5.1eV); 微腔效应 特定波长的光在符合共振腔模式后,以特定的角度出射,光波 的半高宽变窄,不同角度的光强和波长不同。 底发射器件:阴极高反射率,阳极高透过率,大部分光直 接从透明电极出射,一部分由高反射率的电极全反射, 顶发射器件:阴极为半透明金属,光的反射增加,造成多 光束干涉,微腔效应更明显。发光颜色和发光强度会随视

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