eu2mn2掺杂的m3nalapo43fm=ca sr ba白光荧光粉的合成及发光性能 word格式.docxVIP

systematically.Theopportunitiesandchallengesinthefieldofsingle-phasedwhite light phosphors havebeen proposed.Keywords:white-lightLEDs, single-phased phosphors, Eu2+/Mn2+co-doped, UVexcitationIII第一章绪论1.1稀土发光材料理论基础稀土元素发现于18 世纪末叶，当时人们经常把不溶于水的固体氧化物称为土。稀土通常是以氧化物的状态分离出来，虽然它在地球上的储量十分巨大，但冶炼提纯难度大，显得较为稀少，故得名稀土。截止到2011年，在全球范围内，稀土储量排名为美国世界第一，占全球稀土储藏量的40%。俄罗斯的稀土储量占30%，排世界第二。中国则占23%，为世界第三。印度第四占7%。稀土有着“工业维生素”的美称，稀土元素氧化物是指元素周期表中原子序数为57到71的15 种镧系元素，以及与镧系元素化学性质相似的钪（Sc）和钇（Y）共17 种元素的氧化物。这17 种元素原子的电子层结构各不相同，物理化学性质也有很大的区别，所以它们在矿物中的共生情况也不同，稀土元素不同价态的离子由于半径不同，产生的物质性质也千差万别，根据这些特征，可以将17种稀土元素分为以下二组：轻稀土包括：镧、镨、铈、钐、钕、铕、钷、钆。重稀土包括：铽、钬、镝、镱、铒、铥、镥、钪。稀土在光学、电学、磁学等方面具有优异的物理特性，能与其他金属材料、非金属材料或者半导体材料组成品种繁多、性能各异的新型材料。稀土元素最显著的功能就是加入到其他材料中之后，该材料的质量和性能可以得到大幅度的提升。因此，稀土在军事、冶金、石油化工、玻璃陶瓷以及新型材料等方面具有良好的发展前景。稀土发光材料便是稀土在新型材料中的典型应用。所谓稀土发光，是指由稀土离子的4f电子在不同能级间跃迁而产生光子。稀土发光可以根据激发方式的不同分为很多种类型，有光致发光（photoluminescence）、电致发光（electroluminescence）、阴极射线发光（cathodluminescence）、X射线发光（X-ray luminescence）、放射性发光（radiation luminescence）、摩擦发光（triboluminescence）、化学发光（chemiluminescence）和生物发光（bioluminescence）等。稀土发光材料具有很强的吸收能力，转换效率高，而且其发射光谱涵盖的区域很广，可从紫外光区一直跨越到红外光区，尤其是在可见光区具有很强的发射能力。稀土发光材料目前已广泛应用于显示显像、新型绿色光源、X射线增光屏等各个方面。1.1.2 稀土发光材料的发光原理稀土元素是一个庞大的发光材料宝库，因为稀土元素的离子具有独特的电子层结构和丰富的能级数量。迄今为止，在人类已开发的各种各样的发光材料中，稀土元素扮演着十分重要的角色，稀土离子的发光范围几乎覆盖了整个固体发光的范畴[1]。稀土发光材料有着诸多的发光特点，它的发光谱带窄，发射波长分布的区域广；发光的色纯度高，而且发光颜色多种多样，色彩鲜艳；光吸收能力很强，转换效率高；荧光寿命长，可以从纳秒跨越到毫秒，范围高达相差达6 个数量级；物理和化学性质稳定，耐高温，可承受大功率电子束、高能辐射和强紫外光的作用等[2]。在外界作用下，物质吸收能量，内部的电子便会发生跃迁，跃迁后的状态称之为激发态。根据量子力学中的基本原理，我们知道任何的激发态都是很不稳定的。激发态所处的能量较高，而根据能量越低越稳定这一原则，物质必然会回到较为稳定的能量较低的状态。这个较为稳定的低能量状态称之为基态。在物质从高能量的激发态跃迁到低能量的基态这个过程中，便会有多余的能量释放出来。能量释放的形式有很多种，如果是以光子的形式释放，那么这个跃迁的过程也就是发光的过程，这种在跃迁过程中能够释放光子的物质就叫发光物质。一些物质本身不一定发光，但若加入一些元素的离子（如稀土离子）之后，这个物质被激活而发光，这些离子便是发光的激活剂。稀土离子的核外电子排布的规律很独特，其4f壳层是被部分填充的，填充的电子数N为1~13，而外层则是满壳层，电子为5s25p6排布。4f这一不饱和的壳层很容易被外层这一满壳层的电子所屏蔽，因此其作用要比环境的作用弱很多。虽然受到了外层电子的屏蔽，但由于4f壳层的电子轨道波函数的局域范围非常小，所以这N个电子本身的库仑作用相当强。除此之外，4f壳层的每个电子都有自身的旋转轨道，每个轨道又会产生轨道角动量，这个轨道角动量与电子的自旋角动量均会产生一定的磁矩，磁矩之间相互作用，就会导致自旋轨道耦合。经过前人的大量研究，我们知道4f壳层电子的角动