半导体材料2讲－硅和锗的化学制备教程.pptVIP

本世纪50年代，半导体应用的发展，带动了单晶硅的生产。单晶硅是由许多硅原子 以金刚石晶格结构 排列成晶核 长成晶面取向相同的晶粒，并平行结合变成单晶硅。超纯单晶硅是最早使用的半导体材料，其纯度可高达99.9999999999%，在这样纯的单晶硅中，每一万亿个原子中有一个杂质原子。 单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶的生长方法很多，主要有四种： 区熔法。1952年，由美国科学家蒲凡所发明。在一个长棒形固体非单晶原料中，有一段短的区域被加热融熔，并且缓慢地从一端移向另一端，使原料内的物质在结晶过程中重新分布，达到提纯物质重新结晶的目的。区熔法目前仍在广泛使用。 水热法。单晶体在高温高压条件下从溶液中生长，所使用的容器是高压釜。通常把原料放在温度比较高的底部，籽晶放在温度较低的上部，容器内充满溶剂。在高压釜底部的高温部分，原料溶解在溶剂中，由于温差对流，溶解的原料被溶液带到釜上部，在籽晶附近达到过饱和状态，并在籽晶上结晶。溶液的循环，使底部的原料不断溶解；而上面的籽晶不断生长。目前水热法主要用于生长水晶以及其它氧化物单晶。 此外，还有外延生长法和升华法。 * 半导体材料 教师：陈易明 E-mail: 9295839@ 第一章 硅和锗的化学制备 1.2 高纯硅的制备 硅在地壳中的含量为27%，主要来源是石英砂(SiO2)和硅