半导体工艺及器件模拟一教程.ppt

* * BJT 工艺流程-Dios Title (BJT example) 对仿真初始化，为图形窗口命名为“BJT example”； Grid( X(0,10) Y(-3,0), Nx=20) 建立初始网格（用户网格）及定义器件区域； Replace( control ( maxtrl=8, RefineGradient=-7， RefineMaximum =0，RefineJunction=-7 RefineBoundary=-7 ) ) 对网格进行调整，指定网格的调整标准： maxtrl=8表示三角形的最大优化级别为8 RefineGradient=-7表示最大的掺杂梯度优化级别为-7 RefineMaxim=0表示掺杂浓度最大处取消优化 RefineJunction=-7表示结处三角形网格优化级别为-7 RefineBoundary=-7表示网格边界的最大优化级别为-7 * * BJT 工艺流程-Dios 关于网格的细化 Replace(Control(MaxTrl=8, RefineBoundary=-7, RefineGradient=-7,RefineMaximum=0,RefineJunction=-7)) MaxTrl 表示三角形最大的优化级别 RefineBoundary参量对不同材料的边界进行网格优化，该参 量主要用在氧化步骤之前，以及光刻步骤之后; RefineGradient参量对浓度梯度较大的区域进行网格优化； RefineJunction参量对PN结边界区域进行网格优化。 上述网格参量的绝对值越大，则网格划分越细。每一级别是 低一级别网格边长的1/2。 * * BJT 工艺流程-Dios Level of refinement: 1 2 3 4 5 6 7 Triangle side length[μm]: 0.2 0.1 0.05 0.025 0.0125 0.00625 0.003125 上述是假定初级网格（用户定义的网格）的三角形边 长为0.2um，对于本节的初级网格为0.5um * * BJT工艺流程 Substrate(element=As, concentration=1e15, orientation=111) 定义硅衬底的晶向是111，掺杂浓度为1e15, 杂质为砷 Graphic (triangle=on, plot) 开始显示和控制图形输出，triangle=on表示显示三角形网格； Replace (Control(Ngra=10)) 图形模式下，每十个时间步长更新一次图形； diffusion(atmosphere=epitaxy, time=2min, temperature=1050, growthRate=2.5um/min, concentration=5e15, element=As) 在1050摄氏度下，外延5微米厚、掺砷浓度为5e15的外延层； * * BJT工艺流程 Deposit (material=Ox, thickness=0.2) 淀积一层二氧化硅，厚度为0.2微米，作为掩蔽层； Mask (material=resist, thick=800nm, x(0, 3.5, 7, 10)) 定义了一块厚度为800nm的光刻胶，其覆盖范围是横向位置从0～3.5、7～10um； Etching (material=Ox, stop=sigas, Rate (aniso=100)) 将没有覆盖光刻胶的二氧化硅光刻掉，直到接触到硅，刻蚀速率为100um/min的各向异性刻蚀；刻SiO2窗口 Implant (Element=B, dose=2e13, energy=100keV, tilt=7) 注入硼剂量2e13 /cm2，能量为100keV，倾斜角为7度； 硼注入，形成基区 * * BJT工艺流程 Etching (material=resist) 刻蚀光刻胶； Etching (material=Ox, stop=sigas, Rate(aniso=100)) 刻蚀二氧化硅； Diffusion (time=30, temperature=1100, atmosphere=O2) 重新生长一