半导体器件的材料物理基础教程.pptVIP

爱因斯坦关系中，扩散系数D，载流子的扩散 载流子饱和速度公式 电阻率与击穿电压的关系 雪崩击穿电压与轻参杂的n型材料的电阻率关系 其中因子m和幂指数n对不同的器件制造工艺和材料电阻率略有些变化。 第三节 少数载流子寿命 载流子寿命的概念 少数载流子寿命与器件特性 载流子的复合及复合寿命 载流子寿命的概念 是半导体从载流子密度不平衡状态恢复到热平衡状态的弛豫过程所需时间的量度。 一般情况下额外载流子的注入和抽取对少数载流子的密度影响很大，热平衡的恢复主要是少数载流子热平衡的恢复，所以τ总被称作少数载流子寿命。 少子寿命与器件特性 半导体器件工作过程中，同时存在载流子漂移、扩散、复合； 漂移：电场力的作用，外加或内建电场； 扩散：载流子浓度梯度； 与少子寿命相关的器件特性：阻断特性、开关特性、导通特性等； 少子寿命与阻断特性 耗尽近似的空间电荷区是阻断作用的主功能区，是不稳定的非平衡态，其恢复平衡态的趋势的强弱（用少子寿命τ衡量），影响阻断特性； 由反向扩散电流： τ越大，反向扩散电流越小，阻断特性越好； 少子寿命与导通特性 少子寿命对导通特性的影响，主要是双极器件； 少子的电导调制使器件具有低的电阻和高的电流控