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康华光《电子技术基础 ·模拟部分》名校真题精讲及典型题分类解析
第一部分 半导体器件及其电路
一、填空题:
1.半导体中有 两种载流子。
答案:自由电子和空穴
2.在P型半导体中,多数载流子是 ;在N型半导体中,多数载流子是 。
答案:空穴,自由电子
3.在PN结不加外部电压时,扩散电流 漂移电流,此时PN结中的电流 。
答案:等于,等于零
4.在PN结外加正向时,扩散电流 漂移电流,空间电荷区的宽带 。
答案:大于,变窄
5.二极管的正向电阻 ,反向电阻 。
答案:小,大
6.三极管起放大作用的内部条件是:发射区掺杂浓度 ;基区杂质浓度比发射区杂质浓度
,基区宽带 ;集电结面积比发射结面积 。
答案:高;低,窄;大
7.三极管工作在饱和区时,发射结为 ,集电结为 ;工作在放大区时,发射结为
,集电结为 。此时,流过发射结的电流主要是 ,流过集电结的电流主要是 。
答案:正偏,正偏;正偏,反偏;扩散电流,漂移电流
8.NPN型和PNP型三极管的区别是 。
答案:P区和N区的位置不同
9.N型半导体是在本征半导体中掺入 元素,其多数载流子是 ,少数载流子是 。
答案:五价;自由电子;空穴
10.双极型晶体管有 和 两种类型。晶体管主要有 、 和
三个工作区。
答案:NPN;PNP;放大、饱和、截止
11.场效应管属于 控制器件。场效应管从结构上分成 和 两大类。
答案:电压、结型(JFET)、绝缘栅型(MOSFET)
12.场效应管的输入电阻 ,漏极电流I主要受 控制。
D
答案:较大、栅源电压Ugs
1
13.场效应管跨导g表示 对漏极电流I的控制能力的强弱。
m D
答案:栅源电压Ugs
14.绝缘栅型场效应管(MOSPET)又分为 和 ,二者的区别是 。
答案:增强型、耗尽型,耗尽型有原始沟道而增强型没有原始沟道。
15.场效应管的漏极电流I与栅极电压Ugs为 关系晶体管的I与u为 关系
D C be
答案:平方律、指数
二、选择题
1.在本征半导体中掺入三价元素后的半导体称为 。
A.本征半导体 B.P型半导体 C.N型半导体 D.半导体
答案:B
2.少数载流子是空穴的半导体是 。
A.本征半导体中掺入三价元素,是P型半导体
B.本征半导体中掺入三价元素,是N型半导体
C.本征半导体中掺入五价元素,是N型半导体
D.本征半导体中掺入五价元素,是P型半导体
答案:C
3.PN结加正向电压时,其正向电流是由 形成的。
A.多数载流子扩散 B.多数载流子漂移
C.少数载流子扩散 D.少数载流子漂移
答案:A
4.如果PN结反向电压的数值增大(小于击穿电压),则 。
A.阻挡层不变,反向电流基本不变 B.阻挡层变厚,反向电流基本不变
C.阻挡层变窄,反向电流增大 D.阻挡层变厚,反向电流减小
答案:B
5.根据图中已标出各晶体管电极的电位,判断处于饱和状态的是 。
答案:A
6.场效应管主要优点是( )。
A.输出电阻小; B.输入电阻大;
2
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