西安电子科技大学802集成电路与器件物理半导体物理考点精讲 冲刺串讲及模拟题精讲.pdf

　目　　录　 第一部分　半导体物理部分 第一章　半导体中的电子状态 （２） 第二章　半导体中杂质和缺陷能级 （９） 第三章　半导体中载流子统计分布 （１３） 第四章　半导体的导电性 （２４） 第五章　非平衡载流子 （２９） 第二部分　器件物理部分 第十一章　ＭＯＳ晶体管基础 （３７） 第十二章　ＭＯＳ概念的深入 （５９） 第三部分　数字集成电路部分 第一章　引论 （６５） 第二章　制造工艺 （７１） 第四章　导线 （７３） 第五章　ＣＭＯＳ反相器 （７６） 第六章　ＣＭＯＳ组合逻辑门的设计 （８６） 第七章　时序逻辑电路设计 （１００） 西安电子科技大学《８０２集成电路与器件物理、半导体物理》考点精讲 一、试题构成与特点 试题一般分为填空、简答题、计算题三大部分，试卷总分１５０分。试题难度适中，难题、偏题较少。 从试题类型角度，名词解释占４０－５０分（一空一分），简答占２４／４２分（数量不定，分值不定），计 算题占６５－８０分（一般５道，每题下面有若干小问）。计算部分涉及到“载流子浓度”、“电导率”、“电 流连续性方程”、“ＭＯＳ空间电荷区宽度”“时序电路中时序参数”等方面的计算，并且会有部分证 明题。 从专业课角度看，８０２方向数字集成电路部分占４０％，器件物理部分占４０％，半导体物理部分占 总分２０％。 二、讲义基本内容与考题权重分析 本讲义根据微电子学、电子科学与技术和集成电路工程等专业对集成电路、器件物理、半导体物 理的需要而编写的。 全部讲义中，半导体物理部分包括固体物理与量子力学基础知识，半导体中电子状态，载流子的 统计分布，半导体的导电性，非平衡态载流子等部分；器件物理部分主要讲ＭＯＳ，包括ＭＯＳ管的结构、 机理，端特性及非理想效应；集成电路部分以ＣＭＯＳ为基础，着重介绍反相器的工作机理，以及各种逻 辑、时序电路的特点和工作机理，在前四章（第一部分）也介绍了和数字集成电路相关的工艺、互连线 等概念，考生也要好好把握。 讲义的每一部分章节环环紧扣，循序渐进，需要考生依次掌握好各章节重点难点，为下一章节的 学习做好充分准备。 三、命题规律总结及命题趋势分析 西安电子科技大学微电子学院自２０１２年起考研专业课增加器件物理、集成电路两门专业课，其 中器件物理知识点较为简单，考试容易拿到分数；集成电路部分出题尚无明显规律，建议全面复习，不 可掉以轻心。半导体物理部分由于是传统考试科目，出题较为稳定。专业课严格按照考研大纲出题， 考察重点较为突出，题量和难度适中，怪题、偏题较少。 四、备考与应试