模电课件第三章场效应管及其基本电路.pptVIP

模拟电子技术 式中：UGSth——开启电压(或阈值电压)； μn——沟道电子运动的迁移率； Cox——单位面积栅极电容； W——沟道宽度； L——沟道长度(见图3―5(a))； W/L——MOS管的宽长比。 在MOS集成电路设计中，宽长比是一个极为重要的参数。 输入电阻： 输出电阻： 例 场效应管放大器电路如图3―18(a)所示，已知工作点的gm=5mA/V，试画出低频小信号等效电路，并计算增益Au。 u i ＋ － C 2 C 1 C 3 R D u o ＋ － R G1 R G3 R S2 U DD R G2 ＋ R S1 150k 50k 2k 10k 1k ＋ ＋ 1M R L 1M g m ＝2mA/V u i ＋ － C 2 C 1 C 3 R D u o ＋ － R G1 R G3 R S2 U DD R G2 ＋ R S1 150k 50k 2k 10k 1k ＋ ＋ 1M R L 1M g m ＝2mA/V 图3―18带电流负反馈的放大电路 (a)电路；(b)等效电路；(c)简化等效电路 (a) RS1 r ds D S U o . R D R L + - + - U i . G R G3 R G2 R G1 g m U gs . 输出电压 故 1. 放大倍数Au 式中： 故 所以 图3―18带电流负反馈的放大电路 (a)电路；(b)等效电路；(c)简化等效电路 C 2 C 1 R G1 R S U DD R G2 150k 50k 2k ＋ ＋ R L 10k U o . R G3 1M ＋ － ＋ － U i . g m ＝2mA/V 图3―19共漏电路及其等效电路 (a)电路；(b)等效电路 二、共漏放大器 图3―19共漏电路及其等效电路 (a)电路；(b)等效电路 ( b ) ＋ － U o . R L R S S D I d . g m U gs . ＝ g m [ U i － I d ( R S 　R L )] . . ｜ ｜ 1. 放大倍数Au 式中： 故 所以 C 2 C 1 R G1 R S U DD R G2 150k 50k 2k ＋ ＋ R L 10k U o . R G3 1M ＋ － ＋ － U i . g m ＝2mA/V 图3―20计算共漏电路输出电阻Ro的等效电路 2. 输出电阻Ro C 2 C 1 R G1 R S U DD R G2 150k 50k 2k ＋ ＋ R L 10k U o . R G3 1M ＋ － ＋ － U i . g m ＝2mA/V 图3―20计算共漏电路输出电阻Ro的等效电路 由图可见 式中： 所以，输出电阻为 3.输入电阻 C 2 C 1 R G1 R S U DD R G2 150k 50k 2k ＋ ＋ R L 10k U o . R G3 1M ＋ － ＋ － U i . g m ＝2mA/V 新型半导体MOS器件研究 1958年集成电路发明以来,为了提高电子集成系统的性能，降低成本 (1)集成电路的特征尺寸不断缩小，制作工艺的加工精度不断提高 (2)同时硅片的面积不断增大 (3)40多年来，集成电路芯片的发展基本上遵循了摩尔定律，即每隔三年集成度增加4倍，晶体管尺寸按0.7的因子减小。 (4) 集成电路芯片的特征尺寸已经从1978年的10μm发展到现在的0.13—0.08μm；硅片的直径尺寸也逐渐由2英寸、3英寸、4英寸、6英寸、8英寸发展到12英寸。更新的预测表明,到2016年,MOS的沟道长度将缩小到20nm以下. MOS器件缩小到亚100nm面临许多挑战,有很多问题需要解决: (1)SCE(短沟道效应); (2)DIBL(漏场感应势垒降低)效应; (3)氧化层的可靠性;(对器件的静态功耗产生影响); (4)量子效应;(使栅电容减小); (5)杂质数涨落;(杂质数统计起伏对器件性能影响). Source Drain Tunneling Thermionic emission 图7 电子传输方向能带示意图 Fig.7 Potential diagram in the direction of electron transport 高K栅介质MOS器件 (1)随着半导体器件特征尺寸的缩小， SiO2栅氧化层厚度也相应地减薄。这时电子的隧穿电流更趋明显,传统的二氧化硅栅介质已经无法满足半导体器件的要求; (2)寻找高性能的、与半导体制备工艺兼容的高介电常