半导体薄膜的制备实验的特殊性及教学尝试教程.pptVIP

半导体薄膜的制备和性能测试实验的特殊性及教学尝试 * 评分标准 ： 1. 教员对学生在实验过程中的印象（10%）； 2. 实验报告中是否体现了三个描述（70%）； 3. 是否能提出新的问题（10%）； 4. 是否有独立思考和创新（10%）。 半导体薄膜的制备和性能测试实验的特殊性及教学尝试 * 如何切入科研实践 1．时机的把握： (a)利用学期近结束时的开放时间安排， (b)启发学生自己提出要求。 2．教员确立一个方向和科研实践所应达到的水准，安排 学生讨论和调研 3．调研后由学生做实验设计报告，论证后安排实验 半导体薄膜的制备和性能测试实验的特殊性及教学尝试 * Si衬底表面氮化硅薄膜的生长-----四级物理实验的学生设计刘洋1刘锦涛1闫丛玺1 刘科1 徐季东1董磊1 李强1 张静1朱军1 徐生年1许小亮2  1：安徽合肥中国科学技术大学天文与应用物理系00级 2：安徽合肥中国科学技术大学物理系（指导教员） 半导体薄膜的制备和性能测试实验的特殊性及教学尝试 * 教员指导下的学生讨论与调研 重要性：以硅为衬底生长ZnO基叠层薄膜是宽禁带半导体光电器件的研究中非常重要的一环 生长缓冲层的必要性 迄今为止各种缓冲层的利与弊 以某国外专利为蓝本，讨论SiNx缓冲层的优点以及制作方法，专利上的制作方法为MBE法，建议同学调研并确立适应于我们的溅射法的制备工艺 半导体薄膜的制备和性能测试实验的特殊性及教学尝试 * 缓冲层的作用 最大限度地减少界面态 减少异质衬底与薄膜间的应力 提高薄膜的晶体质量和电学输运及发光效率 半导体薄膜的制备和性能测试实验的特殊性及教学尝试 * 在生长缓冲层方面国际上通行的方法 1、SiO2薄层， Zn薄层和ZnO缓冲层 这些方法都存在一定的缺点，比如SiO2薄膜不够平整，从而生长的ZnO也不够平整，结晶度较差；在Zn缓冲层上再生长ZnO薄膜，缓冲层会部分氧化，呈现出非常高的n型导电性质，不利于器件设计；低温生长ZnO缓冲层同样会在衬底和缓冲层中出现大量的缺陷和层错，效果仍不理想。 2、氮化硅缓冲层 日本研究人员的方法是：将硅片置于MBE系统中，衬底保持600-700oC，在系统中通入0.6sccm的NH3, 用射频方法产生等离子体激发反应生成氮化硅薄膜。同时他们还建议使用其它含氮的反应气体，比如N2，NO2等。 半导体薄膜的制备和性能测试实验的特殊性及教学尝试 * 日本研究人员 方法的缺点 1、用的是MBE法生长ZnO及叠层材料，虽然技术先进，但设备过于昂贵，对生长技术要求较高，难于推广普及。 2、用NH3作为反应气体生长氮化硅缓冲层也有缺点，在N2与Si反应生成氮化硅的同时，也有大量的H进入了Si衬底中形成Si:H和SiNx:[H]复合体，在这样的缓冲层上再生长ZnO基薄膜时，由于有一定的温度，这样的复合体很容易键解。H扩散入ZnO中，它具有较强的自补偿作用，使受主钝化，失去活性； 3、其它含氮的气体，如N2，因为离化能太高，所以生长的氮化硅薄膜中的N很可能是以分子形式存在，使薄膜吸附很多的N2杂质，同时因为N2分子体积庞大，会占据很多空间而影响ZnO薄膜的晶化过程 半导体薄膜的制备和性能测试实验的特殊性及教学尝试 * 对NO2，因其中含有较多的O，故形成的缓冲层将以SiO2为主，这显然和我们的初衷不符。 若生长气体采用N2O，它的离化能较低，而且其中含O量较少，用它生长的氮化硅可能具有以上所列气体所不能相比的优越性。 半导体薄膜的制备和性能测试实验的特殊性及教学尝试 * 1、将MBE生长方式移植到磁控射频溅射系统，期望以这一简单而易于推 广的技术来取代MBE。 2、在反应气体的选择上我们除了采用文献所建议的气体NH3，N2，NO2来 生长氮化硅，进行比较研究以外，我们还将N2O作为主要反应气体生 长氮化硅薄膜。 3、在生长过程中，采用等时生长法（即生长时间与温度不变，而改变 通气流量），等压生长法（即通气流量和反应压强不变，而改变生 长时间），以上生长的温度控制在650oC左右，因为衬底的温度对 MBE系统和溅射系统具有相似的意义，而无须有大的改变。 4、对上述样品进行结构和发光特性测量，结构特性主要是用SEM和STM 进行形貌的测量，而发光特性主要使用阴极射线荧光束测量和比较 分析。 5、在上述制得的含有不同厚度的氮化硅缓冲层上用溅射法生长 ZnO薄 膜同样要进行结构和发光特性测量，以比较不同的效果。 以上实验方案将从暑期开始执