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当uGS＞0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 （2）工作原理 当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在d、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。 再增加uGS→纵向电场↑ →将P区少子电子聚集到 P区表面→形成N型导电沟道。 ①栅源电压uGS的控制作用 如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id。 定义： 开启电压（ UT）——刚刚产生沟道所需的 栅源电压UGS。 N沟道增强型MOS管的基本特性： uGS ＜ UT，管子截止， uGS ＞UT，管子导通。 uGS 越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流ID越大。 ②漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用 当uGS＞UT，且固定为某一值时，来分析漏源电 压VDS对漏极电流ID的影响。（设UT=2V， uGS=4V） （a）uds=0时， id=0。 （b）uds ↑→id↑； 同时沟道靠漏区变窄。 （c）当uds增加到使ugd=UT时， 沟道靠漏区夹断，称为预夹断。 （d）uds再增加，预夹断区 加长， uds增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上， id基本不变。 （3）特性曲线 四个区： （a）可变电阻区（预夹断前）。 ①输出特性曲线：iD=f(uDS)?uGS=const （b）恒流区也称饱和 区（预夹断 后）。 （c）夹断区（截止区）。 （d）击穿区。 可变电阻区 恒流区 截止区 击穿区 ②转移特性曲线： iD=f(uGS)?uDS=const 可根据输出特性曲线作出移特性曲线。 例：作uDS=10V的一条转移特性曲线： UT 一个重要参数——跨导gm： gm=?iD/?uGS? uDS=const (单位mS) gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 在转移特性曲线上， gm为的曲线的斜率。 在输出特性曲线上也可求出gm。 附：特性曲线的计算 L W 导电沟道 沟道中单位面积电荷 Q（y)可表示为： Q（y)=Cox[VGS-VT-V(y)] ; 其中：Cox为单位面积氧化物电容（F/cm2) 沟道中单位长度dy的电阻： dR= ρ*dy/(W*H)=dy/[μn *Q（y)*W] H 其中：ρ为沟道电阻率； μn 是沟道中电子的平均迁移率； 相对于源极的沿沟道y 的电压降为： dv(y)=iD*dR=iD*dy/[μn *Q（y)*W] 或 iD*dy= μn *Q（y)*W*dv(y) ; 当 VDS〈VGS-VT时： 沿沟道从y=0 到y=L积分可得： ∫（0—L）iDdy= ∫(0—VDS) μn *Q（y)*W*dv(y) 积分整理可得iD为： iD= (μn*Cox*W/L ) * [(VGS-VT)VDS-VDS2/2] 上等式两边分别对VGS求导数可得跨导 gm 为： gm=diD/dVGS= (μn*Cox*W/L )*VDS 当 VDSVGS-VT时： ∫（0—L’）iDdy= ∫[0—(VGS-VT)] μn *Q（y)*W*dv(y) 积分整理可得iD为： iD= (μn*Cox*W/L’ ) * (VGS-VT)2/2 根据上式可以看出，在VDSVGS-VT时，iD几乎不随VDS变化；但是沟道的有效长度L会随着VDS的增加而减少到L’，实际上在饱和状态下iD会随着VDS的增大而有所增大。 2.N沟道耗尽型MOSFET 特点： 当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。 当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当uGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。 定义： 夹断电压（ UP）——沟道刚刚消失所需的栅源电压uGS。 N沟道耗尽型MOSFET的特性曲线 输出特性曲线 转移特性曲线 1 GS u 0 1 D (V) -1 2 -2 (mA) 4 3 2 i 4 2 u u 3 10V =+2V 1 DS GS D (mA) i = -1V u GS GS GS =0V =+1V u u (V) = -2V＝UP GS u UP 3、P沟道耗尽型MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道 MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。