单片机原理与技术二节.pptVIP

? SMOD：波特率倍增位，在串行通讯时使用。 GF1、GF0：通信标志位1、0。 WLF：看门狗定时器T3重装标志位。 PD：掉电方位式，PD＝1，则进入掉电方式。 IDL：待机方式位，IDL＝1，则进入待机方式。 若PD和IDL同时为1，则先激活掉电方式。 SMOD － － WLF GF1 GF0 PD IDL 电源控制及波特率选择寄存器PCON 2.7.3 低功耗工作方式 ?⑴ 使用指令使PCON寄存器IDL位置1，则80C51进入待机方式??由图2-17中可看出这时振荡器仍然运行，并向中断逻辑、串行口和定时器/计数器电路提供时钟，中断功能继续存在?。????? 向CPU提供时钟的电路被阻断，CPU不能工作，与CPU有关的如SP、PC、PSW、ACC以及全部通用寄存器都被冻结在原状态。 ⒈ 待机方式 2.7.3 低功耗工作方式 ⑵ 可以采用中断方式或硬件复位来退出待机方式。 中断：产生一个外部中断请求信号，单片机响应中断的同时，PCON.0位（IDL位）被硬件自动清“0’， 退出待机方式进入正常工作方式。在中断服务程序中安排一条RETI指令，就可以使单片微机恢复正常工作，从设置待机方式指令的下一条指令开始继续执行程序。 2.7.3 低功耗工作方式 ⒉ 掉电保护方式 ?⑴ PD位控制 当80C51检测到电源故障时，除进行信息保护外，还应把PCON.1位置“1’，使之进入掉电保护方式。 单片机一切工作都停止，只有内部RAM单元的内容被保护。 2.7.3 低功耗工作方式 ⑵ 只能依靠复位退出掉电保护方式。 80C51备用电源由Vcc端引入。当Vcc恢复正常后，只要硬件复位信号维持10ms，就能使单片微机退出掉电保护方式，CPU则从进入待机方式的下一条指令开始重新执行程序。 在待机和掉电保护期间引脚的状态见表2－7。 2.7.3 低功耗工作方式 当电源电压为5V，时钟频率为12MHz时，80C51正常运行时电源电流为20mA。 休闲方式时，电源电流降为5mA， 掉电方式时，电源电流降为75μA。 可见低功耗控制对降低功耗是非常有效的。 2.7.3 低功耗工作方式 87C51(87C52) EPROM型程序存储器 89C51 (89C52) 、78E51 (78E52)闪速存储器 可通过编程来修改程序存储器中的程序。 89C51内部有一个4KB的Flash EPROM。编程接口可接收高电压(12V) 或低电压(VCC) 的允许编程信号。 ⒈ 闪速存储器编程方式? 表2-8列出了89C51闪速存储器的编程、校验、写锁定位等时的逻辑电平。 2.7.4 编程方式 表2–8 89C51闪速存储器的编程方式  注意：⑴ 根据特征字节(地址为032H) 的内容选择合适的编程电压(VPP=12V或5V) ⑵ 片擦除操作时，要求PROG的脉冲宽度为10ms。 ⒉ 闪速存储器编程 ⑴ 在对89C51编程前，地址、数据、控制信号必须按表2-8和图2-18设置。 ?对89C51的编程的步骤如下： ?????? 在地址线上输入要编程存储器单元地址。 ?????? 在数据线上输入要写入的数据。 ?????? 按图2-19的要求输出编程和校验的时序。 ?????? 对于高压编程模式，将EA/VPP升至12V。 2.7.4 编程方式 图2–18 89C51的闪速存储器编程和校验  2.7.4 编程方式 ?对89C51的编程的步骤如下： 每对Flash存储阵列写入一个字节或每写入一个程序加密位，要向ALE/PROG输出一个编程脉冲。 ??改变地址和数据，重复以上几步操作，直至目标程序(OBJ文件) 结束。 ⑵ 查询数据 89C51可以通过数据查询来检测一个写周期是否结束。若数据未写完，则从P0.7引脚上读到的是该数据的最高位的反码。当写周期结束后，读出值即为写入值。 2.7.4 编程方式 ⑶ 准备好/忙(RDY/BSY) 信号 从图2-19中可看出，编程期间ALE/PROG为高电平后，P3.4引脚被拉成低电平，表示BUSY，编程结束后，ALE/PROG为低电平，表示READY 。 ⑷ 编程校验 如果锁定位LB1和LB2没有被编程，代码数据则可读回，用来校验。锁定位不能直接被校验，只能通过观察它们的功能是否被允许而间接得到证实。 2.7.4 编程方式 ⑸ 芯片擦除 通过正确的控制信号的组合，并保持ALE/PROG引脚脉冲宽度(低电平) 约10ms，则可对EPROM阵列和三个锁定位进行电擦除，擦除后代码阵列全为“1” 。注意，在对程序存储器进行重新编程前必须执行片擦除操