厚膜导体材料1节.pptVIP

晶态玻璃具有以下优点： 1.机械强度高； 2.基本上不发生气泡； 3.气密性较好； 4.热膨胀系数可控制； 5.耐热性好； 6.化学稳定性好，与导体基本上不发生化学反应。 晶态玻璃中有几个基础玻璃系，经常使用的有以MgO- - ,CaO- - 为代表的铝硅酸玻璃；还有以 PbO-ZnO- ， 为代表的铅硼酸玻璃。 4.4.2 HK介电材料 传统的HK介电材料为 玻璃，但其缺点是：烧成温度低，烧成时间短，不适宜共烧工艺；采用玻璃助烧剂时，又会引起介电常数的下降；烧成体为多孔质，耐湿性差。 近年来仍继续以 为基进行开发，多采用使高介电常数 的成分Ba和Ti被Pb, Ca, Fe, W, Cu, Mg等置换构成钙钛矿结构介电体来改善性能。 4.5 厚膜电感器 指通过印刷导电线圈的方法制造的电感器。 用空芯或陶瓷芯。 应用于RF电路和匹配网络、TV滤波器、功率放大器和功率电子应用领域。 两种结构：螺旋形电感和铁氧体芯电感。 前者的电感量依赖于线圈的匝数，后者依赖于几何尺寸和铁氧体芯的材料。 4.2 厚膜导体材料 4.2.1 厚膜导体材料 实现的功能： （1）在电路节点之间提供导电布线； （2）提供多层电路导体层之间的电连接； （3）提供端接区以连接厚膜电阻； （4）提供元器件与膜布线以及更高一级组装的电互连； （5）提供安装区域，一边安装元器件. 两大类:贵金属和贱金属。 对于厚膜导体金属的要求主要有以下几点： 1) 电导率高,TCR小； 2) 与玻璃不发生反应，不向厚膜介电体及厚膜电阻体中扩散； 3) 与介电体及电阻体的相容性好； 4) 不发生迁移现象； 5) 可以焊接及引线键合 6) 不发生焊接浸蚀； 7) 耐热循环； 8) 资源丰富，价格便宜。 4.2.2 厚膜导体材料 选用导体时，通常要进行下述试验: 1) 测定电阻值(按需要有时也包括TCR) 2) 浸润性。测量导体膜上焊料液滴的展宽直径。 3) 耐焊料浸蚀性。将导体膜反复浸入焊料液体中，测量到明显发生浸蚀的浸入次数。 4) 迁移性。在导体图形间滴上水滴，并施加一定的电压，测量达到短路经过的时间。 5) 结合强度。在导体膜上焊接引线，沿垂直于膜面方向拉伸，测量拉断时的强度，确定破断位置，分析断面形貌结构等。 6) 热老化后的强度。焊接后，在150摄氏度下放置48小时，测量导线的结合强度等。 下面介绍几种能较好满足上述要求的常用厚膜导体材料： a) Ag Ag浆料的最大优点是电导率高。 焊接后的Ag厚膜导体，随时间加长及温度上升，其与基板的附着强度下降。这是由于Ag与玻璃层间形成Ag-O键，以及与焊料扩散成分生成 所致。为了防止或减少 的发生，或者使Ag膜加厚，或者在Ag上电镀Ni. Ag的最大缺点是易化学迁移。这是由于Ag与基板表面吸附的水分相互作用，生成 AgOH，它不稳定，容易被氧化而析出Ag,从而引起Ag的迁移。为了抑制，一般要在浆料中添加pd或pt. b) Ag-Pd 在Ag中添加Pd,当Pd/(Pd+Ag)0.1左右时，即可较好的抑制Ag的迁移。但当Pd的添加量较多时，会发生氧化生成PdO，不仅使导体焊接性能变差，而且造成电阻的增加。 因此，Ag/Pd比一般控制在(2.5:1)~(4:1).最近，通过粒度控制，采用球形Ag颗粒，防止其凝聚等，使膜的导电性提高，由此开发出Ag/Pd为(5:1)~(10:1)的制品。 为提高Ag-Pd导体的焊接浸润性，以及导体与基板间的结合强度，需要添加 。在烧成过程中，部分 溶入玻璃中，在使玻璃的相对成分增加的同时，它与 基板发生如下反应： 使膜的结合强度得到增大。 焊接时要对膜加热，加热时间增加，金属颗粒与玻璃成分之间分散的 ，会由于焊料的主要成分Sn向导体内部扩散，而发生还原反应： 从而使膜的结合强度下降。故最近开发了许多不含Bi而采用其他玻璃粘结剂的Pd-Ag浆料，特别是适用于 AlN陶瓷基片的浆料。 c) Cu 与贵金属相比，Cu具有很高的电导率，可焊接，耐迁移性，耐焊料浸蚀性都好，而且价格便宜。 Cu在大气中烧结会氧化，需要在氮气气氛中烧结。 在多层工艺中与介电体共烧时容易出现分层现象和微孔，由于烧结时缺氧，有机粘结剂等不能完全燃烧和排除，与分层一起造成绝缘性能的下降。 Cu与 基片的界面处易生成 （偏铝酸铜）,