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2018-04-23 发布于湖北
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(s)process工艺流程CMOS

集成电路制造技术主讲：毛维 mwxidian@126.com 西安电子科技大学微电子学院垂直式热氧化炉管系统反应离子刻蚀设备离子注入系统的原理示意图简单平行金属板直流二极管溅射系统尾气 e- e- e- DC 直流二极管溅射装置衬底 1) 电场产生 Ar+ 离子 2) 高能Ar+ 离子和金属靶撞击 3) 将金属原子从靶中撞击阳极(+) 阴极 (-) 氩原子电场金属靶等离子体 5) 金属淀积在衬底上 6) 用真空泵将多余物质从腔中抽走 4) 金属原子向衬底迁移. 进气 + + + + + * * CMOS PROCESS FLOW INTRODUCTION 加热器1 加热器2 加热器3 压力控制器气体流量控制器晶圆操作控制器晶舟装载器排出控制器温度控制器微控制器 HMDS：六甲基乙硅氮烷——(CH3)6Si2NH 作用：去掉SiO2表面的-OH，增强附着力离子源分析用磁铁加速管离子束等离子体工艺腔吸出组件扫描圆盘 *