三篇一章 放大电路分析.ppt

第三篇 模拟电路和系统 第一章 放大电路的动态和频响分析 3.1.1 放大电路的主要性能指标 分贝 (2)输入电阻Ri (3)输出电阻Ro (4)通频带 (5)最大不失真输出幅度 3.1.2 半导体三极管和场效应管的低频小信号模型 一、三极管的低频小信号模型 在应用三极管低频小信号模型时应注意以下几点： 由网络方程导出模型 二、场效应管的低频小信号模型 3.1.3 放大电路的动态分析 一、放大电路的三种基本组态 FET放大电路的三种基本组态 共漏组态(CD) 二、基本放大电路的动态分析 1．共射放大电路的动态分析 2．共集放大电路的动态分析 3．共基放大电路的动态分析 【例3.1.1】 （2）若改用β＝100的三极管 【例3.1.2】 4．FET放大电路的动态分析 共漏（CD）放大电路 共栅（CG）放大电路 三、放大电路三种组态性能指标的比较 四、多级放大电路的性能指标 直接耦合 2．多级放大电路的性能指标 【例3.1.3】 （2） 3.1.4 放大电路的频响分析 一、三极管的高频小信号模型 二、场效应管的高频小信号模型 分频段分析法 中频段电压放大倍数 高频段电压放大倍数 共射放大电路的全频段电压放大倍数的表达式： 四、频率响应的BODE图表示 1. 低频段波特图的绘制 2. 高频段波特图的绘制 【例3.1.4】 【例3.1.5】 3.1.5 放大电路的计算机辅助分析举例 解： (3) (5) （3） 当AB间用大电容(称自举电容)跨接后，使A点电位与发射极电位相同，从而使A点电位升高，流过Rb支路的电流减小，Rb支路的等效电阻增加。但该题中，由于rbe1支路电阻比Rb支路电阻小得多，所以自举电容对整个放大器的输入电阻增加不多。 发射结正偏，结电容由扩散电容决定(达一百皮法左右)；集电结反偏，结电容由势垒电容决定(几个皮法)。 物理模型 忽略rc、re 混合π模型 对集电极电流没有贡献；  才能影响集电极电流的大小。 忽略rb?e、rce 简化的混合π模型 单向化处理 密勒定理 高频小信号模型 忽略rb?e、rce 单向化 简化 高频等效模型 简化模型 三、放大电路的分频段分析法 全频段等效电路 C通常为10~100μF，Ci通常为10~100pF 中频段： C容抗很小，交流短路； Ci容抗很大，交流开路。 低频段： C容抗增大，不能忽略； Ci容抗更大，交流开路。 高频段： C容抗更小，交流短路；  Ci容抗增大，不能忽略。 与以前所求的低频（实为音频）电压放大倍数是一致的。 低频段电压放大倍数 设 则 设 则 在中频段，因fHffL，上式近似为 在高频段，因ffL，上式近似为 在低频段，因ffH，上式近似为 多级放大电路电压放大倍数的频率响应表达式： 低频转折频率和高频转折频率的个数由放大电路中的电容个数所决定，其数值则与电容所在回路的时间常数相关。 横坐标采用对数频率刻度 对数幅频特性曲线纵坐标用分贝表示； 对数相频特性曲线纵坐标表示相角?。 好处： 可以把很宽的频率变化范围压缩在较窄的频率坐标以内。 增益的乘、除运算变成了坐标的加、减运算。 可以采用渐近折线来代替绘制十分麻烦的频率特性曲线。 频率特性表达式： 对数幅频特性表达式： 对数相频特性表达式： ?=90?-arctan 最大误差在f＝fL处(误差3dB)。 最大误差在f＝0.1fL处(误差+5.71°) 及在f=10fL处(误差为-5.71°)。 频率特性表达式： 对数幅频特性表达式： 对数相频特性表达式： ?=-arctan 最大误差在f＝fH处(误差3dB)。 最大误差在f＝0.1fH处(误差+5.71°) 及在f=10fH处(误差为-5.71°)。 已知一放大电路的频率响应为 分别写出其对数幅频特性和相频特性的表达式，并画出相应的波特图。 解： 其对数幅频特性表达式为： 其对数相频特性表达式为： 上限频率 下限频率 带宽 已知一多级放大电路的频率响应为 试画出它的波特图，并求出它的上限频率fH。 解： 上限频率为： fH?7.43?105Hz 上限频率就是放大电路高频段电压放大倍数下降到中频段电压放大倍数的0.707倍（-3dB）对应的频率。 【例3.1.6】多级放大电路如图3.1.36所示，vi为5mv(幅值)的正弦交流电压，设晶体管Q2N3904的模型参数为β=132，试用PSPICE程序仿真分析下列项目： (1) 研究放大电路各点的波形，及输入输出电压的相位关系；