南邮模电c期末复习第三章.ppt

三种基本放大器性能比较 共集：输入电阻最大(电压信号源衰减最小), 输出电阻 最小(带负载能力强) , 无电压增益，有较大的电 流增益； 共射：输入电阻不够大，输出电阻不够小，有较大的电 压和电流增益； 共基：输入电阻很小，无电流增益，有较大的电压增益。 在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望带负载能力强，应选用__ B _，希望频率特性好（若优先考虑高频特性指标要好），应选用__ c _。 （A. 共射组态，B. 共集组态，C. 共基组态） 3.1 3.20(2) 3.23 作 业: * 三极管最基本的作用是放大作用，要想实现这个功能需要满足以下条件，。。。下面我们就看一下晶体管是是如何在这种内部条件和外部条件下实现放大功能的 * 可以看出不管是哪种组态，晶体管都是2个回路，输入回路和输出回路，下面我们就先来看一下输出回路的特性曲线 * 第三章 双极型晶体管及其放大电路 1. 形式与结构 NPN PNP 三区、三极、两结 2. 特点: 基极电流控制集电极电流并实现放大 放 大 条 件 内因：发射区载流子浓度高、 基区薄、集电区面积大 外因：发射结正偏、集电结反偏 3. 电流关系 c b e NPN PNP c b e 图1. (a) NPN型管的结构示意图；(b) 电路符号 §3.1 双极型晶体管的工作原理 base collector emitter e c b 发射极 基极 集电极 基区 发射结 集电结 发射区 集电区 N+ P N 1. 结构 发射极箭头方向是指发 射结正偏时的电流方向 (两个反向连接的PN结组成) 晶体管处于放大状态的工作条件 c b e NPN UC ＞ UB＞ UE UC ＜ UB ＜ UE PNP c b e 1.内部条件 2. 外部条件 发射结(eb结)正偏 集电结(cb结)反偏 ① 使发射区的掺杂浓度最高，以有效地发射载流子； ② 使基区掺杂浓度最小且区最薄，以有效地传输载流子； ③ 使集电结面积最大，且掺杂浓度小于发射区，以有效 地收集载流子。 图6. 共射输出特性曲线 u C E / V 5 10 15 0 1 2 3 4 饱 和 区 放 大 区 i C / mA uCE=uBE iB=-ICBO 截 止 区 击 区 穿 共射输出特性曲线可分为4个区域(饱和区、放大区、截止区、击穿区)。 晶体管的工作状态小结： 两个PN结都正偏——饱和状态 两个PN结都反偏——截止状态 一个PN结正偏，一个PN结反偏——放大状态 注意: 如果晶体管的发射结反偏、集电结正偏，就是晶体管的倒置放大应用 1. 直流模型及静态工作点的估算 §2.4 放大电路的静态分析和设计 例1. 硅晶体管电路如图所示。若已知晶体管工作在放大状态，β=100，试计算晶体管的IBQ，ICQ和UCEQ。 I C Q + - U CE Q 270k? R B U BB 6V I B Q U CC 12V R C 3k? + - ui 故有 解：晶体管工作在放大状态，故可用直流模型代替晶体管，便得到如上图所示的直流等效电路。由图可知 直流通路 2. 静态工作点的图解分析法 直流图解分析是在晶体管特性曲线上，用作图的方法确定出直流工作点，并求出IBQ、UBEQ和ICQ、UCEQ。 以左图为例，说明如何通过图解分析法确定放大电路的静态工作点。 图2.3.4 阻容耦合共射放大 输出回路的静态工作点ICQ、UCEQ的图解分析： 写出晶体管的输出回路方程 uCE=UCC-ICRC 在坐标中画出输出回路方程所确定的直线-直流负载线 输出特性曲线与直流负载线的交点为静态工作点Q。 两个 特殊点 例. 在下图(a)的电路中，RB=560kΩ, RC=3kΩ, UCC=12V，晶体硅管的输出特性曲线如下图(b)所示，试用图解法确定直流工作点。 R B U CC R C I B Q I C Q ＋ － U CE Q (a)直流通路 (b) 晶体管的输出特性曲线 (2) 输出回路满足（直流负载线）： uCE=UCC - iCRC 即: uCE=12- 3iC 解: (1) 取UBE(on)=0.7V，由估算法可得： R B U CC R C I B Q I C Q ＋ － U CE Q iC= 0时，uCE=12 V uCE= 0时，iC=4 mA u C E / V 2 10 12 0 1 2 3 40 μ A 30 μ A 20 μ A 10 μ A i C / m A 4 6 8 4 Q (3) I