IC工艺技术离子注入.pptVIP

集成电路工艺技术讲座第五讲 离子注入 Ion implantation 引言 半导体工艺中应用的离子注入是将高能量的杂质离子导入到半导体晶体，以改变半导体，尤其是表面层的电学性质． 注入一般在50-500kev能量下进行 离子注入的优点 注入杂质不受材料溶解度，扩散系数，化学结合力的限制，原则上对各种材料都可掺杂 可精确控制能量和剂量，从而精确控制掺杂量和深度 较小的恒向扩散 掺杂均匀性好，电阻率均匀性可达1% 纯度高，不受所用化学品纯度影响 可在较低温度下掺杂 目录 射程和分布 沟道效应 损伤和退火 离子注入机 离子注入的应用 离子注入工艺模拟 射程 入射离子在非晶靶内的射程 非晶靶 射程，投影射程 LSS理论 单个入射离子在单位距离上的能量损失 -dE/dx=N[Sn(E)+Se(E)] 其中：Sn(E)　原子核阻止本领 Se(E)　电子阻止本领 N 单位体积靶原子平均数 R=?oRdx＝（1/N） ?oEodE/〔Sn(E)＋ Se(E)〕 　 LSS理论－核阻止本领和弹性碰撞 核阻止本领 粗略近似计算核阻止本领 Sno=2.8x10-15 (Z1Z2/Z1/3 )M1/(M1+M2)（ev-cm2) 其中 Z 2/3= Z12/3+Z22/3 低能