以射频磁控加偏压沉积氧化锌铝透明导电薄膜.docVIP

氮鋁共摻雜P型氧化鋅透明導電薄膜之研製 黃勝斌 蔡欽州 建國科技大學電機工程系E-mail: sbhwa@ctu.edu.tw 摘要 本研究利用射頻磁控濺鍍法以N2O為氮源，採用氮-鋁共摻雜(co-doping of N and Al)的方式，在N型矽基板上沉積P型氧化鋅透明導電薄膜(NAZO)，並探討不同N2O流量比(0%到90%)對所成長薄膜結構及光電特性的影響。實驗結果顯示薄膜的成長速率、X-射線繞射峰值強度及導電率等特性都會隨著N2O流量比的增加而增加然後下降。當N2O流量比在40%時，NAZO薄膜有較低電阻率約為10.2-cm，電洞濃度及移動率分別為1.5x1017 cm-3及3.7 cm2V-1s-1，且在可見光波長範圍內，整體的薄膜穿透率大於80%。 關鍵詞：氮-鋁共摻氧化鋅、N2O、射頻磁控濺鍍 Abstract In this study, nitrogen and aluminum co-doped ZnO(NAZO) thin films are deposited on n-type silicon substrates by RF magnetron sputtering system with the N2O flow ratio changing from 0% to 90%. As 40% volume ratio of N2O is intro