电子电路与系统基础 I （清华大学）2011春季学期期末考试A卷.pdfVIP

清华大学本科生期末考试试题纸 《电子电路与系统基础I》2011 年春季学期期末考试试题 班级 学号 姓名 1、填空题：（43 分）。 a) 填表列写NMOSFET 三个工作区的伏安特性方程，这里可不考虑厄利电压的影响： 工作区域 条件 伏安特性方程 截止区 V  V I 0 GS TH D 欧姆区 恒流区 b) 已知某 NMOSFET 工作在恒流区，其栅源控制电压为 ，漏极电流为 ，厄利 V I GS 0 D 0 电压为 ，则恒流区跨导 的表达式为（