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- 2018-05-13 发布于浙江
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清华大学本科生期末考试试题纸
《电子电路与系统基础I》2011 年春季学期期末考试试题
班级 学号 姓名
1、填空题：（43 分）。
a) 填表列写NMOSFET 三个工作区的伏安特性方程，这里可不考虑厄利电压的影响：
工作区域 条件 伏安特性方程
截止区 V V I 0
GS TH D
欧姆区
恒流区
b) 已知某 NMOSFET 工作在恒流区，其栅源控制电压为 ，漏极电流为 ，厄利
V I
GS 0 D 0
电压为 ，则恒流区跨导 的表达式为（
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