课题十六电力场效晶体管 河南工业职业技术学院.docVIP

课题十六 电力场效晶体管 基本课题：电力场效晶体管 目的要求：掌握电力MOS的工作原理、特性、主要参数、驱动电路及使用中应注意的问题。熟悉其适用场合。 主要内容及重点难点 主要内容：结构与工作原理；特性；驱动与保护　案例分析 教学重点:结构与工作原理；驱动与保护 教学难点：驱动与保护 教学方法及教学手段 讲述法、比较法 作业： 8 课题十六 电力场效应晶体管(Power MOSFET) 一、电力MOSFET的结构与工作原理 1．电力MOSFET的结构 电力场效应晶体管简称电力MOSFET(Power MOS Field-Effect Transistor)，电力MOSFET采取两次扩散工艺，并将漏极D移到芯片的另一侧表面上，使从漏极到源极的电流垂直于芯片表面流过，这样有利于减小芯片面积和提高电流密度。这种采用垂直导电方式的MOSFET称为VMOSFET。 电力MOSFET是多元集成结构，即一个器件由多个MOSFET元组成，图4-14a表示的是一个MOSFET元的组成剖面图。 a) b) 图4-14 电力MOSFET的结构和符号 a) MOSFET元组成剖面图 b) 图形符号 VMOSFET都含有一个寄生二极管，所以电力MOSFET无反向阻断能力，当在器件两端加反向电压时器件导通，在使用中要引起注意。 2．电力MOSFET的工作原理 当漏极接电源正极，源极接电源负极，当uGS大于某一电压值UGS(th)时，形成漏极电流iD。电压UGS(th)称为开启电压，uGS超过UGS(th)越多，导电能力就越强，漏极电流iD也越大。 二、电力MOSFET的特性 1．转移特性 当uGS UGS(th)时，iD近似为零；当uGS＞UGS(th)时，随着uGS的增大，iD也越大。当iD较大时，iD与uGS的关系近似为线性。 2．输出特性 a) b) 图4-15 电力MOSFET的转移特性和输出特性 a) 转移特性 b) 输出特性 从图中可以看出，电力MOSFET有三个工作区： ①截止区。uGS≤UGS(th)，iD=0，这和电力晶体管的截止区相对应。 ②饱和区。uGS＞UGS(th)，uDS≥uGS -UGS(th)，当uGS不变时，iD几乎不随uDS的增加而增加，近似为一常数，故称为饱和区。这里的饱和区并不和电力晶体管的饱和区对应，而对应于后者的放大区。当用做线性放大时，MOSFET工作在该区。 ③非饱和区。uGS＞UGS(th)，uDS＜uGS -UGS(th)，漏源电压uDS和漏极电流iD之比近似为常数。该区对应于电力晶体管的饱和区。当MOSFET作开关应用而导通时即工作在该区。 3．开关特性 MOSFET的工作频率可达100 kHz以上。 MOSFET是场控型器件，在静态时几乎不需要输入电流。但是在开关过程中需要对输入电容充放电，仍需要一定的驱动功率。开关频率越高，所需要的驱动功率越大。 a) 测试MOSFET开关特性的电路 b) 开关特性曲线 2．电力MOSFET的主要参数：漏极电压UDS、漏极最大允许电流IDM、栅源电压UGS（栅极与源极之间的绝缘层很薄，承受电压很低，一般不得超过20 V，否则绝缘层可能被击穿而损坏，使用中应加以注意）、极间电容。 三、电力MOSFET的驱动与保护 1．电力MOSFET的驱动 图4-18 电力MOSFET的一种驱动电路 驱动电路的工作原理是：当无控制信号输入时(uI =“0”)，放大器A输出低电平，V3导通，输出负驱动电压，MOSFET关断；当有控制信号输入时( uI = “1”)，放大器A输出高电平，V2导通，输出正驱动电压，MOSFET导通。 2．MOSFET的保护 (1)防止静电击穿 电力MOSFET的最大优点是具有极高的输入阻抗，因此在静电较强的场合难于泄放电荷， 容易引起静电击穿。防止静电击穿应注意： ①在测试和接入电路之前器件应存放在静电包装袋，导电材料或金属容器中，不能放在塑料盒或塑料袋中。取用