1、PN结正向压降与温度关系研究.docVIP

PN结正向压降与温度关系的研究 实验简介： 众所周知，常用于温度的传感器有热电偶，测度电阻器和热敏电阻，红外测温仪等。其中，PN结温度传感器具有灵敏度高，线性好，响应快易于集成化等，其他传感器无法比拟的优点，工作温度范围一般在－50℃～150℃灵敏度可达100MV/℃。而本实验PN结只有2.2MV/℃左右。 实验目的： 1.了解PN结正向压降随温度变化的基本关系式。 2在恒流条件下，测绘PN结正向压降随温度变化曲线并由此确定其灵敏度和被测PN结材料的禁带宽度。 3.学习用PN结测温度的方法。 实验原理： 人们将高价元素（例如：P）掺杂到硅材料中，由于磷元素多电子，使材料主要以电子导电称P型半导体，将三价的硼元素掺杂到硅材料中使材料中出现大量空穴称N型半导体材料。将P型材料同N型材料粘合在一起由于电子和空穴的扩散复合形成PN结。 理想PN结的正向电流IF和压降VF存在如下近似关系式。 其中q为电子电荷；K为玻尔兹曼常数；T为绝对温度；IS为反向饱和电流，它是一个和PN结材料的禁带宽度以及温度等有关的系数。 其中C是与结面积、掺杂浓度等有关的常数；r也是常数（见附录）；Vg（0）为绝对零度时PN结材料的导带底和价带顶的电势差。将（2）式代入（1）式，两边取对数可得 其中 ， 方程（3）就是PN结正向压降作为电流和温度函数的表达式，它是PN结温度传感器的基本方程。其中：Vg（0）――绝对零度时PN结材料的导带底和价带顶的电势差。 q――电子的电荷。 K――玻尔兹曼常数。 T――绝对温度。 If――PN结中正向电流。 ――常数。 令IF＝常数，则正向压降只随温度而变化，但是在方程（3）中，除线性项V1外还包含非线性项Vn1。 下面来分析一下Vn1项所引起的线性误差。 设温度由T1变为T时，正向电压由VF1变为VF，由（3）式可得 按理想的线性温度响应，VF应取如下形式 等于T1温度时的 值。 由（3）式可得 所以 由理想线性温度响应（7）式和实际响应（4）式相比较，可得实际响应对线性的理论偏差为 设T1＝300K，T＝310K，取r＝3.4＊，由（8）式可得Δ＝0.048mV，而相应的VF的改变量约20mV，相比之下误差甚小。不过当温度变化范围增大时，VF温度响应的非线性误差将有所递增，这主要由于r因子所致。 综上所述，在恒流供电条件下，PN结的VF对T的依赖关系取决于线性项V1，即正向压降几乎随温度升高而线性下降，这就是PN结测温的依据。必须指出，上述结论仅适用于杂质全部电离，本征激发可以忽略的温度区间（对于通常的硅二极管来说，温度范围约－50℃～150℃）。如果温度低于或高于上述范围时，由于杂质电离因子减小或本征载流子迅速增加，VF－T关系将产生新的非线性，这一现象说明VF－T的特性还随PN结的材料而异，对于宽带材料（如GaΑs）的其PN结，高温端的线性区则宽；而材料杂质电离能小（如Insb）的PN结，则低温端的线性范围宽，对于给定的PN结，即使在杂质导电和非本征激发温度范围内，其线性度亦随温度的高低而有所不同，这是非线性项Vn1引起的，由Vn1对T的二阶导数 可知的变化与T成反比，所以VF－T的线性度在高温优于低温端，这是PN结温度传感器的普遍规律。此外，由（4）式可知，减小IF，可以改善线性度，但并不能从根本上解决问题，目前行之有效的方法大致有两种： 1．利用对管的两个be结（将三极管的基极与集电极短路与发射极组成一个PN结），分别在不同电流IF1、IF2下工作，由此获得两者之差（VF1－VF2）与温度成线性函数关系，即 由于晶体管的参数有一定的离散性，实际与理论仍存在差距，但与单个PN结相比其线性度与精度均有所提高，这种电路结构与恒流、放大等电路集成一体，便构成集成电路温度传感器。 2．Okira Ohte等人提出的采用电流函数发生器来消除非线性误差。由（3）式可知，非线性误差来自Tr项，利用函数发生器，IF比例于绝对温度的r次方，则VF－T的线性理论误差为Δ＝0。实验结果与理论值颇为一致，其精度可达0.01℃。 实验装置： 实验系统由样品架和测试仪两部分组成。 实验方法和内容： 实验系统检查与连接。 取下样品室的筒套，查待测PN结管和测温元件应分别放在铜座的左右两侧圆孔内，其管脚不与容器接触，然后拧紧筒套。 控温电流开关应放在“关”的位置，此时加热指示灯不亮，接上加热电源线和信号传输线。 VF（TR）的测量和调零 开启测试仪电源预热数分钟后，将“测量选择”拔到IF由“IF调节”使IF＝50微安。将“测量选择”拔到VF记下VF值，再将“测量选择”拔置