第9章 存储器接口.ppt

ARM嵌入式体系结构与接口技术第9章 存储器接口 第1章 嵌入式系统基础知识 第2章 ARM技术概述 第3章 ARM的指令系统 第4章 ARM汇编语言程序设计 第5章 ARM Realview MDK集成开发环境 第6章 GPIO编程 第7章 ARM异常中断处理及编程 第8章 串行通信接口 第9章 存储器接口 第10章 定时器 第11章 A/D转换器 第12章 LCD接口设计 第13章 温度监测仪开发实例 9.1 Flash ROM介绍 9.2 Nor Flash操作 9.3 NAND Flash操作 9.4 S3C2410X中Nand Flash控制器的操作 9.5 S3C2410X Nand Flash接口电路与程序设计 9.6 SDRAM芯片介绍 9.7 小结 9.8 思考与练习 Falsh器件的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息。Flash Memory属于EEPROM(电擦除可编程只读存储器)类型。它既有ROM的特点，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重写，功耗很小。 Flash主要有两种类型：“或非NOR”和“与非NAND” Intel于1988年首先开发出NOR Flash技术 东芝公司1989年发表了NAND Flash结构 Nand Flash与Nor Flash对比： 1、接口对比 NOR Flash带有通用的SRAM接口，可以轻松地挂接在CPU的地址、数据总线上，对CPU的接口要求低。NOR Flash的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NAND Flash器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。 2、容量和成本对比相比起NAND Flash来说，NOR Flash的容量要小，一般在1~32MByte左右 3、可靠性性对比NAND器件中的坏块是随机分布的，而坏块问题在NOR Flash上是不存在的 4、寿命对比NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次 5、升级对比NOR Flash的升级较为麻烦，因为不同容量的NOR Flash的地址线需求不一样不同容量的NAND Flash的接口是固定的，所以升级简单 6、读写性能对比擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间约为为5s。擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。NOR的读速度比NAND稍快一些。 9.2.1 SST39VF160芯片介绍 SST39VF160是一个1M×16的CMOS多功能Flash器件 SST39VF160的工作电压为２.7～3.6V，单片存储容量为２M字节，采用48脚TSOP封装，16位数据宽度。 SST39VF160引脚图 SST39VF160的引脚功能描述如下表 9.2.2 SST39VF160字编程操作 1、执行3字节装载时序，用于解除软件数据保护 2、装载字地址和字数据 在字编程操作中，地址在CE#或WE#的下升沿（后产生下降沿的那个）锁存，数据在CE#或WE#的上升沿（先产生上升沿的那个）锁存。 3、执行内部编程操作该操作 在第4个WE#或CE#的上升沿出现（先产生上升沿的那个）之后启动编程操作。一旦启动将在20ms内完成。 9.2.3 SST39VF160扇区/块擦除操作 扇区操作通过在最新一个总线周期内执行一个6字节的命令时序（扇区擦除命令30H和扇区地址SA）来启动。块擦除操作通过在最新一个总线周期内执行一个6字节的命令时序（块擦除命令50H和块地址BA）来启动。 9.2.4 SST39VF160芯片擦除操作 芯片擦除操作通过在最新一个总线周期内执行一个6字节的命令5555H地址处的芯片擦除命令10H时序来启动在第6个WE#或CE#的上升沿（先出现上升沿的那个）开始执行擦除操作，擦除过程中只有触发位或数据查询位的读操作有效 9.2.5 SST39VF160与S3C2410X的接口电路 一片SST39VF160以16位的方式和S3C2410的接口电路： 9.2.6 SST39VF160存储器的程序设计 1、字编程操作 从内存“DataPtr”地址的连续“WordCnt”个16位的数据写入SST39VF160的“ProgStart”地址 利用了数据查询位（DQ7）和查询位（DQ6）来判断编程操作是否完成 函数中用到的几个宏的定义如下： #define ROM_BASE 0 #define CMD_ADDR0 *((volatile