存储器是信息存放的载体精品.pptVIP

3．写周期 要选定写入的单元， 和 必须都有效，而且行地址必须领先 有效。列地址必须领先 有效。 由 有效实现写入， 信号必须领先 有效。 要写入的信息，必须在有效前已经送至数据输入线DIN，且在 有效后必须保持时间。 4．读-修改-写周期 在指令中，常要对某一单元的内容读出进行修改，然后再写回这一单元。为了提高操作速度，在存储器中设计了读-修改-写周期。 这一周期的性质，类似于读出周期和写周期的组合，但它并不是由两个单独的读周期和写周期结合起来的，而是在 和 同时有效的情况下由 信号先实现读出，在作修改后又实现写入。 5．刷新周期 在Intel 2164A中有512个读出放大器，所以刷新时，最高位行地址RA7是不起作用的，由RA6～RA0在四个存储矩阵中都选中一行（每次同时刷新512个单元），所以经过128个刷新周期，就可以完成整个存储体的刷新。 虽然读操作、写操作、读+修改+写操作都可以实现刷新，但推荐使用唯 有效的刷新方式，它比别的周期功耗可降低20%。 由 有效把刷新地址锁存入行地址锁存器，则选中的512个单元都读出和重写。由于 在刷新过程中始终无效，故数据不会读出至DOUT线上。 7.3 现代RAM 扩展数据输出动态随机访问存储器EDO DRAM EDO DRAM与上述传统的快速页面模式的动态随机访问存储器（如Intel 2164）FPM DRAM并没有本质上的区别，其内部结构和各种功能操作也与FPM DRAM基本相同。主要的区别是：当选择随机的列地址时，如果保持相同的行地址，那么，用于行地址的建立和保持时间以及行列地址的复合时间就可以不再需要，能够被访问的最大列数则取决于最长时间。 同步动态随机访问存储器SDRAM 处理器访问SDRAM时，SDRAM的所有输入或输出信号均在系统时钟CLK的上升沿被存储器内部电路锁定或输出，也就是说SDRAM的地址信号、数据信号以及控制信号都是CLK的上升沿采样或驱动的。这样做的目的是为了使SDRAM的操作在系统时钟CLK的控制下，与系统的高速操作严格同步进行，从而避免因读写存储器产生的“盲目”等待状态，以此来提高存储器的访问速度。 突发存取的高速动态随机存储器Rambus DRAM RDRAM在内部结构上进行了重新设计，并采用了新的信号接口技术。 7.4 只读存储器（ROM） 掩模只读存储器 它由制造厂做成，用户不能加以修改。 可擦除的可编程序的只读存储器EPROM 电可擦除的可编程序的ROM（E2PROM——Electrically Erasable Programmable ROM） 编程与擦除所用的电流是极小的 E2PROM的另一个优点是擦除可以按字节分别进行（不像EPROM擦除时把整个芯片的内容全变为“1”）。 新一代可编程只读存储器FLASH存储器 FLASH具有很高的集成度，这与DRAM类似。在访问速度上FLASH也已经接近EDO类型的DRAM。供电撤消之后，保存在FLASH中的信息不丢失，FLASH具有只读存储器的特点。 7.5 虚拟存储器管理与IA-32微处理器的MMU单元 7.5.1 虚拟存储器概念 虚拟存储管理技术，使一个进程的逻辑地址空间远大于实际的主存空间时，仍能正常地运行进程。要正确地了解虚拟存储器的概念，首先要分清进程运行时访问的地址空间和主存的实际地址空间。 目标程序中指令和数据放置的位置，称为相对地址或逻辑地址，它不同于CPU能直接访问的主存的物理地址空间。前者是逻辑上的而非物理上的存储空间，而后者是程序在执行时实际存放其指令和数据的物理空间。 在虚存管理中，把一个进程访问的地址称为“虚拟地址（逻辑地址）”，而处理机可直接访问的主存地址称为“实地址（物理地址）”。把一个进程可访问的虚拟地址的集合称为“虚拟地址空间”，而把一个计算机所实际配置的主存称为“实地址空间（物理地址空间）”。为了使进程能运行，就必须把虚地址空间中的指令和数据放入到主存的实地址空间中去，建立虚地址与实地址的映射关系，也就是要由虚拟地址转换到物理地址。这种转换由虚存管理中的动态地址映射机制来实现。 实际上，程序只需要有一部分在主存中就可以正确地执行，只需要把最近要用到的那部分程序和数据装入主存，以后要用到别的部分时，把那部分调入，而把不用的部分调出主存。这种调入和调出工作是由具有虚拟存储器功能的操作系统实现的。 7.5.2 Intel IA-32结构微处理器的存储管理单元 IA-32结构微处理器芯片上，就提供了段页式的存储管理机制，为现代操作系统的请页式虚存管理提供了直