001 集成电路的最基本制造工艺.pptVIP

第一章 集成电路的基本制造工艺;为什么要了解IC的基本制造工艺？;IC的基本制造工艺学习思路和学习目标;1.1 双极集成电路的基本制造工艺 1.2 MOS集成电路的基本制造工艺 1.3 Bi-CMOS工艺;1.0 集成电路的工艺基础; 第一节 引言 集成电路的制造需要非常复杂的技术，它主要由半导体物理与器件专业负责研究。VLSI设计者可以不去深入研究，但是作为从事系统设计的工程师，有必要了解芯片设计中的工艺基础知识，才能根据工艺技术的特点优化电路设计方案。对于电路和系统设计者来说，更多关注的是工艺制造的能力，而不是工艺的具体实施过程。 由于SOC的出现，给IC设计者提出了更高的要求，也面临着新的挑战：设计者不仅要懂系统、电路，也要懂工艺、制造。; 第二节 半导体材料：硅 1、电阻率： 从电阻率上分，固体分为三大类。在室温下： 金属： ρ10 Ω·cm 半导体：ρ=10 Ω·cm~10E4 Ω·cm 绝缘体：ρ10E4 Ω·cm 2．导电能力随温度上升而迅速增加 一般金属的导电能力随温度上升而下降，且变化不明显。但硅的导电能力随温度上升而增加，且变化非常明显。举个例子： Cu：30?C ?100?C ?增加不到一半（正温度系数） Si：30?C ? 2