CH 2 传感器原理5-6节.ppt

* * * * 怎么判断洛伦兹力方向？(左手定则) 将左手掌摊平，让磁力线穿过手掌心，四指表示正电荷运动方向，则和四指垂直的大拇指所指方向即为洛伦兹力的方向。但须注意，运动电荷是正的，大拇指的指向即为洛伦兹力的方向。反之，如果运动电荷是负的，仍用四指表示电荷运动方向，那么大拇指的指向的反方向为洛伦兹力方向。 另一种对负电荷应用左手定则的方法是认为负电荷相当于反向运动的正电荷，用四指表示负电荷运动的反方向，那么大拇指的指向就是洛伦兹力方向。 * 2002/12总结 * * 2002/12总结 * * * * 2002/12总结 * 测速电机 角速度型 2.6.3 变磁通式磁电感应传感器 (a) 开路变磁通式 (b) 闭合磁路变磁通式 1.被测转轴；2.测量齿轮；3.线圈；4.软铁心；5.永久磁铁 变磁通式又称变磁阻式或变气隙式，常用来测量旋转体的角速度。 (a) 开路变磁通式，线圈3和磁铁5静止不动，测量齿轮2 (导磁材料制成)安装在被测旋转体1上，随之一起转动，每转过一个齿，磁路磁阻变化一次，线圈3产生的感应电动势的变化频率f、测量齿轮齿数z 和转速n满足n=60f/z (r/min) 。 (b) 闭合磁路变磁通式，被测转轴1带动椭圆形测量齿轮2在磁场气隙中等速转动，使气隙平均长度周期性变化，因而磁路磁阻也周期性变化，磁通同样周期性变化，则在线圈3中产生感应电动势，其频率f 与测量齿轮2的转速n满足n=30f (r/min) 。 利用霍尔元件基于霍尔效应将被测量的变化转换成霍尔电势的变化。 2.6.4 霍尔传感器 霍尔元件在静止状态下具有感受磁场的独特能力，并且具有结构简单、体积小、噪声小、频率范围宽（从直流到微波）动态范围大（霍尔电势变化范围可达1000∶1）、寿命长等特点。 霍尔效应（Hall effect） 一块长为l、宽为b、厚为d 的半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中（磁场方向垂直于薄片），当半导体中有电流 I 流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势UH。 霍尔效应原理图 左手定则 霍尔效应原理图 Lorentz force 为什么霍尔元件多用N型半导体制作，而不用金属或P型半导体制作？为什么霍尔元件通常做得比较薄？ 霍尔元件材料 1．锗(Ge) 2．硅(Si) 3．砷化铟(InAs)和锑化铟(InSb) 两者的特性很相似。 霍尔元件结构 霍尔电极 控制电流极 霍尔元件的主要技术指标 2. 输入电阻Ri 控制电流极间的电阻值。室温(20±5℃)下测定。 3. 输出电阻Rs 霍尔电极间的电阻值。室温(20±5℃)下测定。 1. 额定激励电流IH 使霍尔元件温升10℃所施加的控制电流。 霍尔元件做好之后，限制IH的主要因素是散热条件。 A为散热系数 4. 零位电压/不等位电压 当霍尔元件通以额定激励电流IH而不加外磁场时，霍尔电极 之间的空载电压U0。 零位电阻： 不等位电压的补偿 将霍尔元件置于磁场中，左半部磁场方向向上，右半部磁场方向向下，从 a端通入电流 i，根据霍尔效应，左半部产生霍尔电势VH1，右半部产生露尔电势VH2，其方向相反。因此，c、d两端电势为VH1-VH2。 霍尔元件在初始位置时VH1=VH2，则输出为零；当改变磁极系统与霍尔元件的相对位置时，即可得到输出电压，其大小正比于位移量。 应用举例 1.霍尔式位移传感器 霍尔位移传感器 2.霍尔式压力传感器 Bourdon tube 霍尔式压力传感器结构原理图及磁钢外形 当电流流过导线时，将在导线周围产生磁场，磁场大小与流过导线的电流大小成正比，这一磁场可以通过软磁材料来聚集，然后用霍尔器件进行检测。 ???????????????????????????????????????????????????????????????????????? 3.霍尔式电流传感器 (1)霍尔计数装置 霍尔开关传感器SL3501是具有较高灵敏度的集成霍尔元件, 能感受到很小的磁场变化, 因而可对金属零件进行计数检测。当钢球通过霍尔开关传感器时, 传感器可输出峰值20mV的脉冲电压。 4. 其它应用 (2) 霍尔接近开关 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 2.5 压电式传感器 2.5.1 压电效应 基于压电材料的压电效