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微电子学概论第二章 庄庆德 2003.8 2.3 pn结 第二章 半导体物理和器件物理基础 2.3 pn结 2.3.1 平衡pn结 2.3.2 正向特性 2.3.3 反向特性 2.3.4 击穿 2.3.5 电容 2.3.1 平衡pn结：无偏压下的pn结 形成过程：扩散，漂移，自建电场，平衡 P型 N型 + + + + - - - - 扩散 P型 N型 + + + + - - - - 自建 电场 E 漂移 形成过程：扩散，漂移，自建电场，平衡 P型 N型 + + + + - - - - 自建 电场 耗尽层 平衡：扩散流＝漂移流， 　　　n,p区域的费米能级一致 平衡：扩散流＝漂移流， 　　　n,p区域的费米能级一致 能带的弯曲， 形成势垒 势垒高度： Eg-（施主能级差+受主能级差）-功函数差 Si 大约0.8 eV 耗尽层的特点 (1)只剩下杂质中心没有自由载流子 因此电阻很大 (2)它的宽度与杂质浓度有关,越浓,越薄 (3)电场强度:边缘为零,线形变化中间最强, P型 N型 + + + + - - - - 耗尽层 耗尽层的宽度 d=[2εrε0Vd(Na+Nd)/(qNaNd)]1/2 计算 Na=Nd=1*1018/cm3 =1*1024/m3 V=0.8V, εr=16,ε0=8.85*10-12F/m,q=1.6*10-19C 解： d2=2εrε0Vd(Na+Nd)/(qNaNd） ＝2*16*8.85*10-12*0.8*(2*1024) /(1.6*10-19*1*1048) =1.416*10-14 d=1.19*10-7m =0.119μm 第二章 半导体物理和器件物理基础 2.3 pn结 2.3.1 平衡pn结 2.3.2 正向特性 2.3.3 反向特性 2.3.4 击穿 2.3.5 电容 （１）正偏:p正，n负 势垒降低，电流增大 P型 n型 Pn结的IV特性 I=Is[exp（qV/kT）－１] Is= -q[Dppn/Lp+Dnnp/Ln] 常数 取决于：材料与结构 V＜０　　　 I=-Is 　 V＞０　　　 I=Is exp[qV/kT］ 回忆： 电子的跃迁禁带的概率比例于 EXP(-Eg/kT) 所以可知，随偏置电压的变化，电流呈指数变化。 第二章 半导体物理和器件物理基础 2.3 pn结 2.3.1 平衡pn结 2.3.2 正向特性 2.3.3 反向特性 2.3.4 击穿 2.3.5 电容 耗尽层的宽度: 与偏压的关系 与偏压的平方根正比 反偏增加：耗尽层加厚 如果两侧浓度不同，向低浓度一侧扩展 （１）反偏:p负，n正 势垒加高，电流很小 I=Is P型 n型 Pn结的IV特性 第二章 半导体物理和器件物理基础 2.3 pn结 2.3.1 平衡pn结 2.3.2 正向特性 2.3.3 反向特性 2.3.4 击穿 2.3.5 电容 （１）隧道击穿 耗尽层窄 掺杂浓度高 反向电压高 P型 n型 Pn结的击穿 （2）雪崩击穿： 反向电场强, 耗尽层的雪崩碰撞 价带电子空穴直接激发到导带 强反向电场 + Pn结的击穿 P型耗尽层 N型耗尽层 + + + + - - - - - （3）软击穿： 非整流，I-V线性关系 反向电场 + Pn结的击穿 P型耗尽层 表面漏电流 + + + + - - - - - N型耗尽层 体内漏电流 3种击穿的特性曲线比较 Pn结的击穿 正向 反向 雪崩 软 隧道 第二章 半导体物理和器件物理基础 2.3 pn结 2.3.1 平衡pn结 2.3.2 正向特性 2.3.3 反向特性 2.3.4 击穿 2.3.5 电容 Pn结电容： d=[2εrε0Vd(Na+Nd)/(qNaNd)]1/2 势垒电容： C=Sεrε0/d C=S(εrε0 qNaNd) 1/2/ [2Vd(Na+Nd)] 此外还有扩散电容 因正向偏压时电荷引起的 第二章 半导体物理和器件物理基础 2.3 pn结 2.3.1 平衡pn结 2.3.2 正向特性 2.3.3 反向特性 2.3.4 击穿 2.3.5 电容 2