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* * * 微电子学概论第二章 庄庆德 2004.8 2.4 双极型晶体管 第二章 半导体物理和器件物理基础 2.4 双极型晶体管 2.4.1 基本结构 2.4.2 电流传输 2.4.3 放大系数 2.4.4 特性曲线 2.4.5 反向电流与击穿 2.4.6 频率特性 2.4.1 基本结构 发射区 n 基区 收集区 发射结 收集结 p n 基极C 收集极 发射极 偏置 发射区 n 基区 集电区 p n C E Vbe: 正 Vce: 正 2.4.2 电流传输过程 n 发射 基区渡越 X2 X3 发射区 基区 收集区 多子： 电子 空穴 电子 扩散 漂移 偏置： 正偏 反偏 -Vbe +Vcb 2.4.2 电流传输过程 n 发射 基区渡越 X2 X3 发射区 基区 收集区 扩散 漂移 发射结 发射效率 -Vbe +Vcb 基区 输运系数 收集结 倍增因子 2.4.2 电流传输: 载流子分布 n 电子浓度 发射区 基区 收集区 发射 基区渡越 高，恒定值， 倾斜 较高，恒定值 ne0 nb nc0 X2 X3 在基区X2处： ， 在基区X3处： 2.4.2 电流传输概要 发射 基区渡越 希望： 来自发射区的电子流，大部分能够到达收集区 为此： 1. 发射区有较高的电子浓度，抑制来自基区的空穴流 2.发射区正向偏置 6. 收集结反向偏置 5. 基区的载流子扩散系数大 4. 基区很薄 3. 基区掺杂较轻，提高nb0 2.4.3 晶体管的电流放大系数 发射 基区渡越 （1）共基极放大系数 n p n Ie Ic Veb (-) Vcb (+) 如何增大共基极放大系数： （1）提高注射效率 （2）提高基区输运系数 2.4.3 晶体管的电流放大系数 发射 基区渡越 （2）共发射极放大系数 Ie Ic=αIe Ib=(1-α)Ie 通常，α接近于１ 所以β很大，大约１００ 2.4.3 晶体管的电流放大系数 发射 基区渡越 共发射极与共基极系数比较 共基极 共发射极 输入阻抗 输出阻抗 电流增益 功率增益 低 高 近似１ 中 中 大 大 2.4.４ 晶体管的直流特性曲线 Ic Vc 饱和区 线性区 截止区 2.4.5 晶体管的击穿与反向电流 1 . 反向击穿电压 BVcbo BVebo BVceo o:open, 第３个极开路， 其余两个极反向偏置 ２ . 反向电流 Icbo Iebo Iceo 2.4.5 晶体管的击穿与反向电流 1 . 提高击穿电压 取决于pn结低浓度侧的浓度 该浓度低，击穿电压高 2 . 降低反向电流 pn结低浓度侧的浓度高 工艺与材料 2.4.6 晶体管的频率特性 2.4.6 晶体管的频率特性 e b c 载流子渡越基区需要时间 w:基区宽度，Dn电子扩散系数 2.4.6 晶体管的频率特性 频率特性曲线 10 0 20 30 40 ３dB 增益(dB) β fβ fT α fα f/fα 1 10-1 10-２ 2.4.6 晶体管的频率特性 β截止频率 当β下降３dB 也就是说，增益下降到0.707时的频率 2.4.6 晶体管的频率特性 特征频率fT 当fT =1时的频率 最高震荡频率fM 当功率增益（vout*Iout/(Vin*Iin)=1时的频率 这里Rb,Cc分别为基极电阻，收集结电容 2.4.6 晶体管的频率特性 α截止频率 dB=20 lg （增益真值） 当α下降３dB 也就是说，增益下降到0.707时的频率 2.4.6 晶体管的频率特性 总结： （1）表明电流增益的衰减随频率的变化　fα,fβ,fT （2）表明功率增益的衰减随频率的变化　　fM 减小基区宽度 提高迁移率 减小基区电阻 减小收集结电容 减小基区宽度