由MOSFET组成的同步升压变换器的建模与仿真.docVIP

摘 要 关键词：； 目 录 1 绪论 - 1 - 1.1 设计目的 - 1 - 2 仿真软件及开关器件简介 - 2 - 2.1 Simulink简介 2 2.2 同步整流 2 2.3 MOSFET开关器件简介 3 3 DC-DC变换器的设计原理 4 3.1 升压变换器电路工作原理 4 4 计算机仿真 5 4.1 升压变换器仿真 5 5 总结 10 参考文献 11 由MOSFET组成的同步升压变换器的建模与仿真 1 绪论 1.1 设计目的 1、理解升压变换电路电路图，并对电路中的元器件的作用有深刻的认识。　　　 2、在对升变换电路理论分析的基础上，建立基于Simulink的升压变换电路的仿真模型。 3、选用MOSFET型开关器件对升压进行控制，并对不同工作情况下进行仿真分析与研究。 4、设计一升压变换器，要求输入电压为24V，输出电压40 V，输出电压波率小于5%，负载电阻为16欧姆，开关频率100kHz,200 kHz，要求电流连续。 5、完成上述DC-DC变换电路的设计，并进行计算机仿真，观察输出电压、电流波形、系统输入电压、电流波形，不同仿真条件时系统输入输出的变化情况。 2软件及开关器件简介Simulink是MATLAB最重要的组件之一，它提供一个动态系统建模、仿真和综合分析的集成环境。在该环境中，无需大量书写程序，而只需要通过简单直观的鼠标操作，就可构造出复杂的系统。Simulink具有适应面广、结构和流程清晰及仿真精细、贴近实际、效率高、灵活等优点，并基于以上优点Simulink已被广泛应用于控制理论和数字信号处理的复杂仿真和设计。同时有大量的第三方软件和硬件可应用于或被要求应用于Simulink。Simulink是一种基于MATLAB的框图设计环境，是实现动态系统建模、仿真和分析的一个软件包，被广泛应用于线性系统、非线性系统、数字控制及数字信号处理的建模和仿真中。Simulink可以用连续采样时间、离散采样时间或两种混合的采样时间进行建模，它也支持多速率系统，也就是系统中的不同部分具有不同的采样速率为了创建动态系统模型，Simulink提供了一个建立模型方块图的图形用户接口(GUI)这个创建过程只需单击和拖动鼠标操作就能完成，它提供了一种更快捷、直接明了的方式，而且用户可以立即看到系统的仿真结果对各种时变系统，包括通讯、控制、信号处理、视频处理和图像处理系统，Simulink提供了交互式图形化环境和可定制模块库来对其进行设计、仿真、执行和测试。 构架在Simulink基础之上的其他产品扩展了Simulink多领域建模功能，也提供了用于设计、执行、验证和确认任务的相应工具。Simulink与MATLAB紧密集成，可以直接访问MATLAB大量的工具来进行算法研发、仿真的分析和可视化、批处理脚本的创建、建模环境的定制以及信号参数和测试数据的定义DC/DC 变换器的损耗主要由3部分组成:功率开关管的损耗,高频变压器的损耗,输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下,整流二极管的导通压降较高,输出端整流管的损耗尤为突出。快恢复二极管或超快恢复二极管可达1.0～1.2V,即使采用低压降的肖特基二极管,也会产生0.4V～0.8V的压降,导致整流损耗增大,电源效率降低。因此,传统的二极管整流电路已无法满足实现低电压、大电流开关电源高效率、小体积的需要,成为制约DC/DC 变换器提高效率的瓶颈。 同步整流是用通态电阻极低的电力MOSFET来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。低压大电流的电力MOSFET 的导通压降与二极管相比要低的多。因此采用低压电力MOSFET作为整流器件可提高电路效率,减轻散热压力,有利于实现此类电源的小型化。 2.3 MOSFET开关器件简介 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effection Transistor) 金属氧化物场效应晶体管。FET与BJT的最大区别在于他们的电荷载体不同，BJT的载荷是空穴或是被击出的分子（共价键断裂导致），而FET载荷则是自由电子，其数目多了几个数量级。 MOSFET同三极管应用上的差别在于： 1.MOSFET管是压控器件，而三极管是电流控制器件 2.MOSFET的三种状态夹断区，恒流区，可变电阻区，一般我们运用夹断区和恒流区来作为开关控制，而三极管有三种工作状态，截止态，放大态和饱和态，三极管在截止态和饱和态切换是可以做开关的。MOS管处于哪种状态由Ugs决定 而三极管处于哪种状态由Ib决定 3.场效应管是利用改变电场来控制半导体材料的导电特性，不是像三极管那样用电流控制PN结的电流。因此，场效应管可以工作在极高的频率和较大的功率。 由衬底的材料不同，MOS管分为NMOS和PMOS