晶体二极管与三极管基本特性.docVIP

NO1.晶体二极管和三极管的基本特性 一、填空题 Ａ类 １．半导体是一种导电能力介于 与 之间的物质。 ２．半导体按导电类型分为 型半导体与 型半导体。 ３．Ｎ型半导体主要靠 来导电，Ｐ型半导体主要靠 来导电。 ４．ＰＮ结具有 性能，即加正向电压时，ＰＮ结 ，加反向电压时，ＰＮ结 。 ５．晶体二极管主要参数是 与 。 ６．晶体二极管按所用的材料可分为 和 两类，按ＰＮ结的结构特点可分为 和 两种。 7 ．PＮ结的正向接法是Ｐ型区接电源的 极，Ｎ型区接电源的 极。 ８．晶体二极管的伏安特性可简单理解为 导通， 截止的特性。导通后，硅管的管压降约为 ，锗管约为 。 9．Ｐ型半导体中的多数载流子是 ，少数载流子是 。 １０．Ｎ型半导体中的多数载流子是 、少数载流子是 。 １１．晶体三极管三个电极分别称为 极、 极和 极，它们分别用字母＿、 和 表示。 １２．为了使晶体三极管在放大器中正常工作，发射结须加 电压，集电结须加 电压。 １３．由晶体三极管的输出特性可知，它在 、 和 三个区域。 1 ４、晶体三极管是由两个ＰＮ结构成的一种半导体器件，其中一个ＰＮ结叫做 ，另一个叫做 。 １５．晶体三极管有 型和 型两种，硅管以 型居多，锗管以 型居多。 １６．晶体三极管具有电流放大作用的条件是:第一，使 区的多数载流子浓度高， 区的面积大， 区尽可能地薄；第二，使 结正向偏置， 结反向偏置。 １７．晶体三极管发射极电流Ie、基极电流Ib和集电极电流Ic之间的关系是 。其中Ic/Ib叫做 ，用字母 表示;ΔIe/ΔIb叫做 ，用字母 表示。 １８．晶体三极管的电流放大作用，是通过改变 电流来控制 电流的，其实质是以 电流控制 电流。 １９．硅晶体三极管的饱和电压降为 ，锗晶体三极管的饱和电压降为 。 2０．硅晶体三极管发射结的导通电压约为　　　，锗晶体三极管发射结的导通电压约为　　　　。 ２１．当晶体三极管截止时，它的发射结必须是　　　偏置，集电结必须是　　　或　　　　偏置。 ２２．当晶体三极管处于饱和状态时，它的发射结必定加 电压，集电结必定加　　或电压。 ２３．当晶体三极管的队Ｕce一定时，基极与发射极间的电压Ｕbe与基极电流Ｉb间的关系曲线称为 ;当基极电流Ib一定时，集电极与发射极间的电压Uce与集电极电流人Ic关系曲线称为 。 ２４晶体三极管的电流放大系数太小时，电流放大作用将 ;而电流放大系数太大时，又会使晶体三极管的性能 。 ２５．晶体三极管的穿透电流Iceo随温度的升高而增大，由于硅三极管的穿透电流比锗三极管 ，所以硅三极管的 比锗三极管好。 Ｂ类 １．在判别锗、硅晶体二极管时，当测出正向电压为 时，就认为此晶体二极管为锗二极管；当测出正向电压为＿时，就认为此二极管为硅二极管。 ２．ＰＮ结中的内电场阻止多数载流子的 运动，促进少数载流子的 运动。 ３．ＮＰＮ型晶体三极管的发射区是 型半导体，集电区是 型半导体，基区是 型半导体。 ４．有一个晶体管继电器电路，其晶体管与继电器的吸引线圈相串联，继电器的动作电流为６ｍＡ。若晶体三极管的直流电流放大系数β=５０，便使继电器开始动作，晶体三极管的基极电流至少为 。 5 ．2ＡＰ系列晶体二极管是 材料做成的，其工作温度较 。２ＣＰ、２ＣＺ系列晶体二极管是 材料做成的，其工作温度较 。 ６．点接触型晶体二极管因其结电容 ，可用于 和 的场合；面接触型晶体二极管因其接触面积大，可用于 的场合。 ７．按用途可把晶体二极管分为 、 、 、 、 等。 ８．晶体三极管的输入特性曲线和晶体二极管的 相似，晶体三极管输入特性的最重要参数是交流输入电阻，它是＿＿＿和 的比值。 Ｃ类 １．晶体二极管