磁表面记忆原理和记录方式.PDF

第八节 磁表面记忆原理和记录方式 基本记忆原理 磁头是具有空气缝隙的非封闭环状铁芯，上面绕有线圈。对线圈通以脉冲电流会 形成电磁场，利用载体表面的磁性材料（磁层粉）在电磁场作用下形成的两种磁化状 态来描述信息0 和1。 写1：线圈通以正向电流，使呈N-S 状态。 写0：线圈通以反向电流，使呈S-N 状态。 读时：磁头固定不动，载体运动。因为载体上小的磁化单元外部的磁力线通过磁 头铁芯形成闭合回路，在铁芯线圈两端得到感应电压。根据不同的极性，可确定读出 为0 或1。 磁记录方式 n 磁记录方式 对数字信息按一定的规律进行编码，变成相应的写电流序列，通过磁头造成磁层 表面上的磁化翻转单元。也即指将数字信息转换成磁层表面的磁化单元所采用的各种 方式。 数据记录方式按照写信息所施加的电流波形的极性、频率和相位的不同有： 归零制(RZ)、不归零制(NRZ)、不归零1 制(NRZ-1)、 调相制(PM)、调频制(FM)、改进调频制(MFM) 磁表面存储器的主要性能指标 存储密度 存储密度是指单位长度或单位面积磁表面所存储的二进制信息量。 对于磁盘存储器，用道密度和位密度表示，也可用两者的乘积—面密度表示。 道密度：沿磁盘半径方向单位长度的磁道数称为道密度。道密度的单位是道/英寸 （英文表示为TPI，是Track Per Inch 的缩写）或道/毫米（TPM）。 道密度：Dt=1/S (S-道距) 位密度：磁道上单位长度所记录的二进制信息位叫位密度或线密度，每个磁道所 含信息量一样，而周长不同，所以位密度也不同。一般以最内圈为准。单位是位/英寸 （bpi）或位/毫米(bpm)。 位密度：Db=f*t/(3.14*dmin) (f-数码脉冲频率，t-转一圈的时间，dmin-内径) 对于磁带存储器，则主要用位密度表示。 n 磁盘存取 (寻址、定位)时间包括两部分： – 磁头寻找目标磁道所需的找道时间T 。 s 找到磁道后，磁头等待所需读写的区段旋转到它的下方所需要的等待时间T 。 w 平均定位时间T 由平均找道时间T 和平均等待时间T 组成。计算公式如 a sa wa 下： 目前工业界报告的平均寻道时间约为：5ms-10ms 平均等待时间约为：3ms-6ms 数据传输率 外部数据传输率：指主机接口从（向）硬盘缓存读出（写入）数据的速度。例如 采用Ultra DMA/66 接口的外部传输率可达66.6MB/s。 内部数据传输率：指读写磁头定位在要读写的数据块的始端后连续从磁道中读出 或写入数据的速度。目前主流硬盘大多在20MB/s 到30MB/s 之间。 内部数据传输率： D =D*V=rm r (D-存储密度，V-磁介质与磁头相对运动速度，r-转速，m-道容量) 设T 为读写N 位的平均时间，T 为平均定位时间，N 为位数（一般为一个扇区的 N A 位数），R 是内部数据传输率(位/秒)， r 为转速（通常为5400rpm、7200rpm、 10000rpm） ， m 为道容量， 则：TN = TA + N/R = Tsa + 1/2r + N/rm