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SRAM CellSRAM: Static RAM Function SEL_L ， OUT=Qo SEL_L and WR_L, Q=D=IN Structure D flip-flop 4-6 transistors * Structure of SRAM * Timing for Read Operation * Timing for Write OperationWE-CONTROL Write Tas Address setup time before write Tah Address hold time after write Tcsw Chip select setup before end of write Twp Write-pulse width Tds Data setup time before end of write Tdh Data hold time after end of write * Timing for Write Operation CS-Control Write * SRAMs 8kx8 32kx8 128kx8 512kx8 * ?SRAM data bus control * Dual Port SP_RAM DP_RAM FIFO * 3.DRAMDynamic RAM Basic principles Refresh cycle 64ms * The internal structure of SDRAM 4Mbit ？ ？ Synchronous * SDRAM Read Timing * SDRAM Write Timing * SDRAM burst read and write sequential * Self-refresh Cycle(自动刷新) Self-refresh counter 12 bit 4096/64ms * SDRAM devices * 4. Memory Application PROM as Truth Table * 4.1 Combinational logic * 74x139: Dual 2-4 decoder * PROM * Review：FPGAConfigurable Logic Block Combinational logic Sequential Logic LUT： Look Up Table == Truth table, F（F1,F2,F3,F4) * 4.2 Arithmetic : Multiplication/Division * Arithmetic : Addition * * * 4.3 Waveform Generator * 4.4 Interface LogicFIFO * Lec20 Principle of Memory Devices 1. Overview 2. ROM（只读存储器） 3. SRAM（静态随机存储器） 4. DRAM（动态随机存储器） 5. Applications * Memory Catalog ROM MROM PROM EPROM EEPROM FLASH RAM SRAM SSRAM DRAM SDRAM … * Homework Reading P580-610 Home work 9.5，9.12，9.18 * ［原理］ ??????? 经典物理学认为，物体越过势垒，有一阈值能量；粒子能量小于此能量则不能越过，大于此能量则可以越过。例如骑自行车过小坡，先用力骑，如果坡很低，不蹬自行车也能靠惯性过去。如果坡很高，不蹬自行车，车到一半就停住，然后退回去。 ??????? 量子力学则认为，即使粒子能量小于阈值能量，很多粒子冲向势垒，一部分粒子反弹，还会有一些粒子能过去，好象有一个隧道，称作“量子隧道（quantum tunneling）”。 ??????? 可见，宏观上的确定性在微观上往往就具有不确定性。虽然在通常的情况下，隧道效应并不影响经典的宏观效应，因为隧穿几率极小，但在某些特丁的条件下宏观的隧道效应也会出现。 ［发现者］ ????????1957年，受雇于索尼公司的江崎玲於奈（Leo Esaki，1940～）在改良高频晶体管2T7的过程中发现，当增加PN结两端的电压时电流反而减少，江崎玲於奈将这种反常的负电阻现象解释为隧道效应。此后，江崎利用这一效应制成了隧道二极管（也称江崎二极管）。 ????????1960年，美裔挪威籍科学家加埃沃（Ivan? Giaever，1929～）通过实验证明了在超导体隧道结中存在单电子隧道效应。在此之前的1956年出现的“库珀