低温透明非晶IGZO薄膜晶体管的光照稳定性-物理学报.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 10 (2013) 108503 低温透明非晶IGZO 薄膜晶体管的光照稳定性* † 李喜峰 信恩龙 石继锋 陈龙龙 李春亚 张建华 ( 上海大学, 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室, 上海 200072 ) ( 2012年12月4 日收到; 2012年12月26 日收到修改稿) 采用室温射频磁控溅射非晶铟镓锌氧化合物(a-IGZO), 在相对低的温度( 200 ◦C) 下成功制备底栅a-IGZO 薄 −2 −1 −1 7 膜晶体管器件, 其场效应迁移率 10 cm ·V ·s , 开关比大于10 , 亚阈值摆幅SS 为0.4 V/dec, 阈值电压为3.6 V. 栅电压正向和负向扫描未发现电滞现象. 白光发光二极管光照对器件的输出特性基本没有影响, 表明制备的器件可 用于透明显示器件. 研究了器件的光照稳定性, 光照10000 s 后器件阈值电压负向偏移约0.8 V, 这种漂移是由于界面 电荷束缚所致. 关键词: 非晶铟镓锌氧化合物, 薄膜晶体管, 光照稳定性, 电滞现象 PACS: 85.30.Tv, 81.15.Cd DOI: 10.7498/aps.62.108503 发光二极管(LED) 辐照对其稳定性的影响, 便于其 1 引言 用于透明显示. 1 2 实验 2004 年Hosono 等 在Nature 上首次报道了 非晶铟镓锌氧化合物(a-IGZO) 薄膜晶体管(TFT), 通过传统的光刻工艺制造底栅结构的 a- 2 −1 因为其具有较高的迁移率(7 cm /V ·s ), 且与目前 IGZO TFT, 其结构如图 1 所示. 基板采用 非晶硅TFT 工艺兼容. 此外其作为一种新型透明氧 200 mm ×200 mm 的corning EXG 玻璃. 首先通过 化物薄膜晶体管能够开发透明电子器件促进透明 直流磁控溅射溅射一层100 nm 的透明ITO 作为栅 1−3 电子学的进展得到广泛关注 . 与非晶硅和低温 极, 接着采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 多晶硅相比, a-IGZO 具有较高迁移率、良好可见 生长300 nm SiOx 作为栅绝缘层, 然后射频磁控溅 光透过率以及可低温制作等优异的性能4−7 . 非晶 射50 nm 的IGZO 作为有源层, 随后PECVD 生长 硅虽然能够在低温下制备, 但由于其迁移率较低而 50 nm 的SiOx 作为刻蚀阻挡层, 并用干刻定义出器 无法应用, 而多晶硅虽然迁移率较高, 但由于多晶 件的沟道宽度和长度, 分别为15 m 和8 m, 接着 硅的制备温度较高, 不适用于不耐高温的衬底材料. 磁控溅射一层 100 nm 的ITO 作为源漏电极, 最后 随着柔性显示技术的发展, 需要低温( 200 ◦C) 制 PECVD 生长 150 nm 的SiOx 作为钝化层. 所有的 89 备TFT 阵列基板 . 因此, 开展低温氧化物T