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物理学报摇 粤糟贼葬孕澡赠泽援杂蚤灶援摇 灾燥造援远园袁晕燥援怨 渊圆园员员冤摇 园怨愿缘园圆 杂韵陨杂韵晕韵杂耘耘孕砸韵酝 总剂量辐照阈值 退化机理研究鄢 员冤源冤覮 员冤源冤 圆冤源冤 猿冤 李蕾蕾 摇 于宗光 摇 肖志强 摇 周昕杰 员冤渊西安电子科技大学微电子学院袁西安摇 苑员园园苑员冤 圆冤渊电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室袁成都摇 远员园园缘源冤 猿冤渊东南大学电子科学与工程学院袁南京摇 圆员园园怨远冤 源冤渊中国电子科技集团公司第五十八研究所袁无锡摇 圆员源园猿缘冤 渊圆园员园年员园月员苑 日收到曰圆园员园年员圆月猿员 日收到修改稿冤 摇 摇 阈值退化是器件特性退化最重要的表征援本文以研究杂韵陨杂韵晕韵杂耘耘孕砸韵酝器件的前栅和背栅阈值电压在辐照 环境下的漂移为入手点袁深入研究了在辐照情况下器件的退化曰并从物理能带和载流子漂移的角度袁分析了导致阈 值电压漂移的物理机理袁提出了提高器件性能的措施援 关键词院杂韵晕韵杂耘耘孕砸韵酝袁杂韵陨袁 辐照袁能带 孕粤悦杂院愿缘郾源园郾 原藻 应具有重大现实意义援 员郾 引 言 文中采用的另一种重要技术要要要杂韵陨 技术早 在员怨苑缘年开始应用于军事尧空间工程中咱苑暂援 由于 伴随着可携带式电子产品的普及袁非挥发性 杂韵陨器件和衬底间进行了完全的介质隔离袁基于 存储器件渊晕燥灶增燥造葬贼蚤造藻酝藻皂燥则赠阅藻增蚤糟藻冤在半导体存 杂韵陨材料的器件能够彻底避免闩锁问题曰并且 杂韵陨 储器件中扮演着越来越重要的角色咱员要缘暂援 随着 器件中只有顶层硅膜中产生的电子才能被收集袁 耘耘孕砸韵酝器件尺寸的不断缩小袁广泛使用的浮栅 故对高能离子敏感区域较小曰同时杂韵陨 器件硅膜 渊云造燥葬贼蚤灶早郧葬贼藻冤 耘耘孕砸韵酝器件的集成度受到了限 较薄袁电荷收集路径更短袁其抗单粒子能力很强袁 制袁而为了维持其正常工作特性袁苑灶皂的隧道氧化 通常力比体硅要大几个数量级咱愿袁怨暂援杂韵陨技术优良 层厚度几乎已经成为浮栅器件所能承受的极 的抗单离子激发了我们结合 杂韵陨 技术与 杂韵晕韵杂 限咱员袁圆暂援且由于浮栅结构 耘耘孕砸韵酝 需要高压完成 耘耘孕砸韵酝 的热情援 擦尧写袁使得与 悦酝韵杂器件集成难度增大咱圆暂援另外袁 迄今为止袁 国内外的诸多学者对浮栅 随着集成度的一再提高袁耘耘孕砸韵酝器件的尺寸持 耘耘孕砸韵酝尧杂韵晕韵杂耘耘孕砸韵酝 等存储器件特性袁包括 续缩小袁导致因过度擦除引起的反常漏电流越发 其辐照特性开展了大量的研究咱员要缘袁员园要员远暂 袁但关于 严重袁致使在三十多年前就被提出的 杂韵晕韵杂 杂韵陨杂韵晕韵杂耘耘孕砸韵酝 器件的抗辐照特性研究还未 渊杂蚤造蚤糟燥灶鄄韵曾蚤凿藻鄄晕蚤贼蚤则凿藻鄄韵曾蚤凿藻鄄杂蚤造蚤糟燥灶冤器件又重新被 见报道援本文在杂韵陨工艺下制作了杂韵晕韵杂耘耘孕砸韵酝 关注咱圆暂援除了小的器件尺寸之外袁杂韵晕韵杂耘耘孕砸韵酝 存储器袁并从半导体器件物理和能带理论的角度对 还具有很多优势咱员要猿袁远暂 袁如耐久性好袁操作电压低 杂韵陨杂韵晕韵杂耘耘孕砸韵酝 器件的总剂量辐照损伤机理 和功耗低袁工艺过程简单并与标准 悦酝韵杂 工艺兼 进行了分析袁揭示了在总剂量辐照下 杂韵陨杂韵晕韵杂 容等袁所以杂韵晕韵杂耘耘孕砸韵酝也开始大