材料物理03 导电物理.ppt

* * * — — — Mi× — — — Mi · 形成氧离子空位的缺陷能级 施主能级 __ __ __ Mi · · * * 5. 金属与半导体的接触 （1） 金属和半导体的功函数 Eo (EF)m Wm 金属中的电子势井 Eo表示真空中静止电子能量。 金属功函数定义： Wm = Eo- (EF)m 该式表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到真空中所需要的最小能量。 其大小表示电子在金属中束缚的强弱，并与表面状态有关。 铯的功函数最低，1.93eV，铂的最高5.36eV. * * 半导体的功函数：?为电子的亲和能，它表示要使半导体导带底部的电子逸出体外所需要的最小能量。 半导体的功函数： Ws = Eo- (EF)s = ?s + En 式中 En= Ec- (EF)s 表示导带底部和费米能级的能量差。 (EF)s Ev Ec ?s Ws En Eo * * （2） 整流接触 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?S Wm WS EF EF n m Eo Wm Ws * * n半导体 EF ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? － － － － 金属 耗尽层 Wm - ?S Wm -WS=eV D En = 形成正的空间电荷区，，其电场的方向由体内指向表面，形成表面势垒，其内的电子浓度比体内小的多，称为高阻层。 * * Wm Ws ?S - Wm WS - Wm ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? Ef n En = 反阻挡层或积累层 * * (3) 欧姆接触 也称为非整流接触。 定义：它不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。从电学上讲，理想欧姆接触的接触电阻与半导体样品或器件相比应当很小，当有电流通过时，欧姆接触上的电压降应当远小于样品或器件本身的压降，这种接触不影响器件的电流-电压特性。 重要性：在超高频和大功率器件中，欧姆接触时设计和制造中的关键问题之一。 实现的办法：对于Si、Ge、GaAs等重要的半导体材料，一般表面态密度很高。势垒的形成与金属的功函数关系不大，不能通用选择金属材料的办法来获得欧姆接触。目前，在实际生产中，主要利用隧道效应的原理来实现。 * * 重掺杂的p-n结可以产生显著的隧道电流。 金属与半导体接触时，如果半导体掺杂浓度很高，则势垒区宽度变薄。隧道电流甚至超过了热电子发射电流。使接触电阻很小。 * * 5.5.3 半导体陶瓷的物理效应 1. 晶界效应 2. 表面效应 3. 西贝克效应 表面能级 * * 表面能级及表面能带结构 表面能级：由于晶格的不完整性使势场周期性破坏，在禁带中产生附加能级，同理：晶体自由表面的存在使其周期场在表面处发生中断，在表面引起附加能级，因其在表面产生，称为表面能级。 引起表面能级的因素：断键 吸附其他分子或原子 晶格缺陷(如添加的杂质以固溶的形式出现在距晶界面约20埃的地方，即偏析）。例如Bi固溶在ZnO的颗粒表面。 * * Mn+ On- p n 陶瓷材料晶粒由表面断键形成的表面能带结构 (b) p型半导体陶瓷的表面势 (c) n型半导体陶瓷的表面势 表面空间电荷层及表面电势 * * 表面空间电荷层：在金属中，自由电子密度很高，表面电荷基本上分布在一个原子层厚度范围内，与金属相比，由于半导体载流子密度要低的多，电荷必须分布在一定厚度的表面层内，这个带电的表面层为表面空间电荷层。 表面电势：表面空间电荷层两端的电势差。 表面电势的正负规定：表面电势比内部高时，其值取正，反之取负。 * * 表面势为负值时，表面处能带向上弯曲，在热平衡状态下，半导体内费米能级为一定值，随着向表面接近，价带顶将逐渐移近甚至超过费米能级，同时，价带中的空穴浓度也随之增加，结果表面层内出现空穴的堆积而带正电。 表面空间电荷层 的三种状态（主要讨论p型半导体） 1）多数载流子堆积状态 － － － － － － － ? ? ? ? ? ? ? EF p * * 当表面势为正值时，表面处能带向下弯曲