模拟电子技术 第3章 场效应管放大电路.pptVIP

跨导gm = ? iD / ? uGS (2)求电压放大倍数、输入、输出电阻。 R1=47k? R2=2M? Rg=10M? Rd=30k? RS=2k? RL=30k? IDSS =0.5mA UDD=18V UGS(off)= -1V 例3.5.1共源极放大电路，(1)求静态工作点。 +UDD uo RS ui CS C2 C1 R2 Rd Rg R1 RL g d s + + _ _ 解： * 第3章 场效应管放大电路 第3章 场效应管放大电路 3.3 P沟道场效应管 3.4 场效应管的主要参数 3.5 场效应管放大电路 3.2　绝缘栅场效应管 场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管有两种: 3.2 绝缘栅场效应管 metal-oxide-semiconductor type field effect transistor 3.2.1 N沟道增强型MOS管 1.结构和电路符号 P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 导电沟道 金属铝 N沟道增强型 P N N g s d g s d B 2.工作原理 N 沟道增强型 UDS UGS UGS=0时 D-S 间相当于两个反接的PN结 iD=0 对应截止区 P N N g s d UGS0时 UGS足够大时（UGSUGS(th)）感应出足够多电子，这里出现以电子导电为主的N型导电沟道。 感应出电子 UGS(th)称为阈值(开启）电压 UDS UGS P N N g s d 1)导电 沟道的建立 UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。 UDS UGS P N N g s d 对应可变电阻区 当UDS不太大时，导电沟道在两个N区间是均匀的。 当UDS较大时，靠近d区的导电沟道变窄。 UDS UGS P N N g s d 夹断后，即使UDS 继续增加，iD仍呈恒流特性。 iD UDS增加，UGS - UDS =UGS(th) 时，靠近D端的沟道被夹断，称为予夹断。 对应放大（恒流）区 UDS UGS P N N g s d 2) uDS对iD的影响 3) uGS对iD的控制作用 3.特性曲线 转移特性曲线 转移特性近似表示式 为 时的 0 iD/mA UGS/V UGS(th) IDO 输出特性曲线 iD/mA U DS/V 0 UGS0 可变电阻区 恒流区 U DS＝ U GS-UGS(th) 击穿区 U GS＝ UGS(th) 截止区 N 沟道耗尽型 予埋了导电沟道 P N N g s d 3.2.2 N沟道耗尽型MOS管 g s d B N沟道耗尽型MOS管的特性曲线 耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 转移特性曲线 0 iD UGS UGS(off) IDSS 转移特性近似表示式 输出特性曲线 iD U DS 0 UGS=0 UGS0 UGS0 IDSS N沟道耗尽型绝缘栅场效应管 符号及特性曲线 iD UDS UGS g s d g s d B UGS=0V U DS （V） iD（mA） 0 1 3 2 4 UGS=+1V UGS=+2V UGS=-1V UGS=-2V Q P 沟道增强型 N P P g s d 3.3 P沟道场效应管 g s d B P 沟道耗尽型 予埋了导电沟道 N P P g s d g s d B 3.饱和漏极电流IDSS 2.夹断电压UGS(off) 3.4.1直流参数 3.4 场效应管的主要参数 1.开启电压UGS(th) 4.直流输入电阻RGS 1. 低频跨导gm 2.极间电容 3.4.2 极限参数 3.4.2 交流参数 1. 漏极最大允许耗散功率PDM 2.漏、源击穿电压U(BR)DS 3. 柵源极击穿电压U (BR) GS 场效应管是电压控制元件，UGS－ID 　　三极管是电流控制元件，IB－IC 2.场效应管输入端没有电流，输入电阻高，三极管总有输入电流，输入电阻小。 场效应管具有放大作用，可组成各种放大电路，它与双极性三极管相比，有以下特点： 3.场效应管是多数载流子导电，噪声小，热稳定性好。 4.场效应管易于集成化制造。 场效应管的特点 1. 场效应管是以UGS控制ID，称电压控制元件；