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纯氮气反应溅射AlN薄膜及性质研究
第 39卷 第 1期 人 工 晶 体 学 报
Vol. 39 No. 1
20 10年 2 月 JOURNAL OF SYN TH ET IC CRYSTAL S February, 20 10
纯氮气反应溅射 A l N薄膜及性质研究
杨世才 , 阿布都艾则孜 ·阿布来提, 简基康 , 郑毓峰, 孙言飞, 吴 荣
(新疆大学物理科学与技术学院 ,乌鲁木齐 830046)
摘要 :在不同氮气浓度 、不同溅射气压和衬底温度为 20 ～370 ℃的条件下 ,分别在多种衬底上采用反应磁控溅射法
沉积 A lN 薄膜 。X射线衍射图谱表明:温度大于 180 ℃时可在多种衬底上沉积出具有 c轴择优取向的纤锌矿 A lN
( )
薄膜 。衬底温度和溅射时间的增加有利于薄膜结晶性的改善 。1. 5 Pa 的纯氮气气氛和 Si 100 衬底是最佳择优生
μ
长条件 。由紫外 可见光透射谱计算得到 :在石英衬底上沉积的薄膜折射率为 1. 80 ～1. 85,膜厚约为 1 m 、光学能
( )
隙为 6. 1 eV 。原子力显微镜照片表明:在 Si 100 衬底上制备的薄膜表面平滑 ,均方根粗糙度为 2. 2 ～13. 2 nm 。
关键词 :氮化铝 ;磁控反应溅射 ;择优取向
中图分类号 : O484 文献标识码 : A 文章编号 : 1000985X (2010) 0 10 19007
Prepara tion and Properties of A l N Th in F il m s
by Pure N itrogen Reactive Sputter ing
YAN G S h ica i, ABD UL EZ I Z A bla t, J I AN J ikang, ZHEN G Yu f eng, SUN Yan f ei, WU R ong
( School of Physic s Science and Technology, X inj iang Un iversity, U rum qi 830046 , Ch ina)
(R eceived 18 M ay 2009, accep ted 7 S ep tem ber 2009)
A b stract:A lN th i
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