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低频电路复习题 填空 1、在图T1.1所示电路中， 已知VCC＝12V，晶体管的(＝100，＝100kΩ。填空：要求先填文字表达式后填得数。 （1）当＝0V时，测得UBEQ＝0.7V，若要基极电流IBQ＝20μA， 则 和RW之和Rb＝ ≈ kΩ；而若测得UCEQ＝6V，则Rc＝ ≈ kΩ。 （2）若测得输入电压有效值=5mV时，输 出电压有效值＝0.6V， 则电压放大倍数 图T1.1 ＝ ≈ 。 若负载电阻RL值与RC相等 ，则带上负载后输出电压有效值＝ ＝ V。 解：（1） 。 （2） 。 2.按要求填写下表。 电路名称 连接方式（e、c、b） 性能比较（大、中、小） 公共极 输入极 输出极 R i R o 其它 共射电路 共集电路 共基电路 解：答案如表所示。 电路名称 连接方式 性能比较（大、中、小） 公共端 输入端 输出端 R i R o 其它 共射电路 e b c 大 大 小 大 共集电路 c b e 小 大 大 小 共基电路 b e c 大 小 小 大 频带宽 3. 分别改正图P1.2所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。 图P1.2 解：（a）将－VCC改为＋VCC 。 （b）在＋VCC 与基极之间加Rb。 （c）将VBB反接，且在输入端串联一个电阻。 （d）在VBB支路加Rb，在－VCC与集电极之间加Rc。 4．判断图P1.3所示各两级放大电路中，T1和T2管分别组成哪种基本接法的放大电路。设图中所有电容对于交流信号均可视为短路。 图P1.3 解：（a）共射，共基 （b）共射，共射 （c）共射，共射 （d）共集，共基 （e）共源，共集 （f）共基，共集 选择 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 A A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是 C 。 A. ISeU B. C. （3）稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （5）在本征半导体中加入 A 元素可形成N型半导体，加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （6）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 CD 。 A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定 （7）选用差分放大电路的原因是 A 。 A.克服温漂 B. 提高输入电阻 C.稳定放入倍数 （8）差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的 A ，共模信号是两个输入端信号的 C 。 A.差 B.和 C.平均值 （9）用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的 B 。 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 （10）通用型集成运放适用于放大 B 。 A．高频信号 B. 低频信号 C. 任何频率信号 （11）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 A 。 A．减小温漂 B. 增大放大倍数 C. 提高输入电阻 （12）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 A 。 A．共射放大电路 B. 共集放大电路 C．共基放大电路 （13）对于放大电路，所谓开环是指 B 。 A．无信号源 B．无反馈通路 C．无电源