数字电子技术--1.3 双极型半导体三极管.ppt

1.3 双极型三极管 1.3.1 三极管的结构 1.3.2 三极管电流的分配与控制 1.3.3 三极管的电流关系 1.3.4 三极管的特性曲线 1.3.5 半导体三极管的参数 1.3.6 半导体三极管的型号 1.3.1三极管的结构 双极型半导体三极管的结构示意图如图所示。 它有两种类型: NPN型和PNP型。 掺杂浓度： 发射区最大，集电区次之，基区最小。 体积： 集电区最大，发射区次之，基区最小。 基区厚度一般在几个微米至几十个微米。 1.3.2 三极管的电流分配与控制 双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。 若在放大工作状态：发射结加正向电压，集电结加反向电压。 发射结发射电子：从发射区正偏将有大量的电子向基区扩散，形成的电流为IEN。 从基区向发射区也有空穴的扩散运动，但其数量小，形成的电流为IEP。这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。 基区复合电子：形成的电流是 IBN。 集电区收集电子：因基区很薄，在集电结反偏电压的作用下，电子在基区停留的时间很短，很快被集电极所收集，形成集电极电流ICN。 另外因集电结反偏，使集电结区的少子形成漂移电流ICBO。于是可得如下电流关系式: 1.3.3三极管的电流关系 (1)三种组态 双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入, 两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态，见图02.03。 (2)三极管的电流放大系数 对于集电极电流IC和发射极电流IE之间的关系可以用系数来说明，定义: 1.3.4 三极管的特性曲线 iB是输入电流，vBE是输入电压，加在B、E两电极之间。 iC是输出电流，vCE是输出电压，从C、E 两电极取出。 共发射极接法的供电电路和电压-电流关系如图所示。 简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现讨论iB和vBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响，它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。 为了排除vCE的影响，在讨论输入特性曲线时，应使vCE=const(常数)。 共发射极接法的输入特性曲线见图02.05。 当vCE=0V时：相当于发射结的正向特性曲线。 当vCE≥1V时： vCB= vCE - vBE0， 集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。 vCE再增加时，曲线右移 不明显。 输入特性曲线的分区： ①死区 ②非线性区 ③线性区 图02.05 共射接法输入特性曲线 (2)输出特性曲线 iC=f(vCE)? iB=const 它是以iB为参变量的一族特性曲线。 当vCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。 当vCE稍增大时，发射结处 于正向电压，集电区收集 电子的能力与vCE 成正比， iC主要由vCE决定。 图02.06 共发射极接法输出特性曲线 当vCE增加较大时， 运动到集电结的电子 基本上都可以被集电 区收集，此后vCE再增 加，电流也没有明显 的增加，特性曲线进 入与vCE轴基本平行的 区域) 。（动画2-2） 输出特性曲线可以分为三个区域: 1.3.5 半导体三极管的参数 半导体三极管的参数分为三大类: 直流参数 交流参数 极限参数 一、直流参数 1、直流电流放大系数 （1）.共发射极直流电流放大系数 ≈IC / IB 在放大区基本不变。 （2）.共基极直流电流放大