高K-金属栅极相关技术.pptVIP

从65nm到45nm到32nm;; 本次Sandy Bridge最大的亮点是将引入“高级矢量扩展”指令集，简称“AVX”(之前称作VSSE)，其重要性堪比1999年Pentium III引入SSE,从理论上看CPU内核浮点运算性能提升到了2倍。其主要特点特点分为以下几部分：;;谈到高K材料的出现就不得不说晶体管的发展历史 在130纳米时代，铜制互连材料取代了铝制互连材料，显著降低了电阻。 在90纳米时代，我们发明了应变硅晶体管，大幅提升了性能。 在45纳米时代，我们引入了革命性的高k金属栅极晶体管，不仅提升了 性能，还降低了漏电能耗。 在32纳米时代，我们引入了第二代高k金属栅极晶体管，在性能和低能 耗方面又向前迈进了一大步。 ; 在这里有个概念需要说下：我们通常所说的32nm的工艺制程，不是指的芯片上每个晶体管的大小，也不是指用于蚀刻芯片形成电路时采用的激光光源的波长，而是指芯片上晶体管和晶体管之间导线连线的宽度，简称线宽。 ;; 从65nm开始，我们已经无法让栅极介电质继续缩减变薄，而且到45nm，晶体管的尺寸要进一步缩小，源极和漏极也靠得更近了，如果不能解决栅极向下的漏电问题以及源极和漏极之间的漏电问题，新一代处理器的问世可能变得遥遥无期。这里要解释下。最先漏电严重的要从90nm工艺开始算起。在同样的电压下晶体管