n-dbr和双氧化限制层对vcsel电光热特性的影响-深圳大学.pdfVIP

35 3 Vol. 35 No. 3 2006 3 ACTA PHOT ON ICA SINICA March 2006 N-DBR VCSEL * 1, 2, 3 4 3 刘立新 赵红东 牛憨 ( 1 , 710068) (2 , 10003 ) ( 3 , 518060) (4 , 300130) 根据增益波导垂直腔面发射激光器直接耦合的准三维理论模型, 通过有限差分法对注入 电流密度载流子浓度光场和热场分布方程求自洽解. 研究了垂直腔面发射激光器的电热和光波 导特性, 同时提出了一种具有双氧化限制层的增益波导垂直腔面发射激光器结构, 并通过对比研究 了N-型分布布喇格反射镜和双氧化限制层对增益波导垂直腔面发射激光器特性的影响1 计算结 果表明, 如果忽略N-型分布布喇格反射镜的影响将与实际的垂直腔面发射激光器有较大偏差; 双 氧化限制层结构对激光器特性有较大的改善, 它为增益波导垂直腔面发射激光器提供了一种降低 阈值, 抑制高阶横模的方法1 垂直腔面发射激光器; 有限差分法; N-型分布布喇格反射镜层; 双氧化限制层 TN 248 A 1 VCSEL 1 0 , P N DBR, ( V CSEL) 20 30 A lA s/ Al0. 16 Ga0. 84 As , . In0. 2 Ga0. 8 As/ GaAs , Ga0. 5 Al0. 5 As , 8 nm 10 nm, [ 1, 2] + [ 5~ ] 1 1 77 Iga N - GaAs 1P N DBR [ 1] VCSEL , , , [ 3, 4] VCSEL , . P N- ( DBR) VCSEL N DBR 1/ 31VCSEL , , 1 VCSEL , w , , s 1 1 VCSEL , , , VCSEL , N- DBR VCSEL 1 1 图1 VCSEL 结构 1. 1 Fig. 1 Schemat ic illust ration of a VCSEL 1. 2 * 河北省自然科学基金( 602074) 和河北省教育厅博士基金 资助项目 Tel: 0755 2673331 Email: lixin. liu@ 126. com 1 收稿日期: 2004 12 13 N (r) [ 5~ 7] 326 35