第06章光电检测器与光接收机1.ppt

第六章 光电检测器与光接收机 6.1 光电检测器 6.2 光电检测器的特性指标 6.3 光 接 收 机 6.4 光接收机的噪声 6.5 光接收机的灵敏度 6.6 数字接收机中定时提取和判决再生 概述 光检测器的作用是将光纤输出的微弱光信号转变为电信号，完成光/电信号的转换。它是影响光接收机性能的重要器件。对光检测器的基本要求是： ① 在系统的工作波长上具有足够高的响应度，即对一定的入射光功率，能够输出尽可能大的光电流； ② 具有足够快的响应速度，能够适用于高速或宽带系统； ③ 具有尽可能低的噪声，以降低器件本身对信号的影响； ④ 具有良好线性关系，以保证信号转换过程中的不失真； ⑤ 具有较小的体积、较长的工作寿命等。 目前常用的半导体光电检测器有两种，PIN光电二极管和APD雪崩光电二极管。 PN结光电二极管 最基本的半导体光检测器是由反向偏置的PN结构成的。在半导体材料的PN结面上，由于电子和空穴的扩散形成了内部的自建场。由于自建场和外电场的作用使电子和空穴产生了与扩散方向相反的漂移运动。在PN结界面附近形成了高电场的耗尽区。在耗尽区两边，电场基本为0，称为扩散区。耗尽区和扩散区均为光子的吸收区，在入射光照射下，要吸收光能量产生光生载流子。 PN结光电二极管原理图 反向偏压工作的光电二极管 为了克服由于光生载流子扩散速度慢于漂移速度而引起的响应变慢现象，对光电二极管采用反向偏压。反向偏压增加了耗尽区的宽度，从而减少了光生电流中的扩散分量，同时增强的电场也会加快光生载流子的漂移速度，有利于加快光生载流 子的响应时间。 PN结二极管的光电效应 光电检测器是利用半导体材料的光电效应实现光电转换的。如图6.1（a）和（b）所示。 当入射光子能量hf 小于禁带宽度Eg时，不论入射光有多强，光电效应也不会发生，即产生光电效应必须满足以下条件 hfc≥Eg 即光频fc＜Eg/h 的入射光是不能产生光电效应的，对应的波长λc=1.24/Eg。即只有 λ＜λc 的入射光，才能使这种材料产生光生载流子，故λc 为产生光电效应的入射光的最大波长，又称为截止波长，相应的fc称为截止频率。 穿透效应 半导体的吸收作用随光波长的减小而迅速增强,即α随光波长减小而变大。因此光波长很短时，光在半导体表面就被吸收殆尽，使得光电转换效率很低。这限制了半导体检测器在较短波长上的应用。 由上分析可见：要检测某波长的入射光，必须要选择由适当材料做成的检测器。一方面由其禁带宽度决定的截止波长要大于入射光波长，否则材料对光透明，不能进行光电转换。另一方面，吸收系数不能太大，以免降低光电转换效率。 6.1.1 PIN光电二极管 在光电二极管的PN结中间掺入一层浓度很低的N型半导体，就可以增大耗尽区的宽度，达到减小扩散运动的影响，提高响应速度和光电转换效率的目的。由于这一掺入层的掺杂浓度低， 近乎本征（Intrinsic）半导体，故称I层。因此这种结构称为PIN光电二极管。I层较厚，几乎占尽了整个耗尽区。绝大部分的入射光在I层内被吸收并产生大量的电子-空穴对。在I层两侧是掺杂浓度很高的P型和N型半导体，P层和N层很薄，吸收入射光的比例很小。因而光生电流中漂移分量占了主导地位，这就大大加快了响应速度。如图6.2（a）（b）所示。 1. PIN光电二极管的结构 2. PIN光电二极管的工作原理 当光照射到PIN光电二极管的光敏面上时，会在整个耗尽区（高场区）及耗尽区附近产生受激吸收现象，从而产生电子空穴对。在外电场作用下，光生载流子运动到电极，在外部电路中有电流流过，完成光电转换。 6.1.2 雪崩光电二极管 雪崩光电二极管又称APD（Avalanche Photo Diode）。它不但具有光/电转换作用，而且具有内部放大作用，其放大作用是靠管子内部的雪崩倍增效应完成的。应用光生载流子在其耗尽区(高场区)内的碰撞电离效应而获得光生电流的雪崩倍增。 1. 雪崩光电二极管的结构 常用的APD结构包括拉通型APD和保护环型APD，如图6.4所示。保护环型在制作时，淀积一层环形N型材料，以防止在高反偏压时使P-N结边缘产生雪崩击穿。由于要实现电流放大作用需要很高的电场，因此雪崩倍增效应只能发生在图中所示的高场区。 2. 雪崩倍增原理 APD的雪崩倍增效应，是在二极管的P-N结上加高反向电压，在结区形成一个强电场；在高场区内光生载流子被强电场加速，获得高的动能，与晶格的原子发生碰撞，使价带的电子得到了能量；越过禁带到导带，产生了新的电