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CMP工艺流程控制策略 LakshmananKaruppiah，BogdanSwedek，M aniThothadri，W ei—yungHsu (ThomasBrezoczky，AndAviRavid，AppliedMaterial，TFGDivision，Sunnyvale，CA) 摘 要 ：化学机械抛光工艺控制和测量技术随着其工艺重要性 的 日益提高越来越成熟。测量技 术在所有类型的化学机械抛光工艺流程控制 中扮演 了一个重要的角色，并且可以根据使用的测 量技术 、其在工艺流程 中所处的位置以及类型和产生的数据量以不 同的方法实现。述评并提 出了 一 些从现场、延伸的现场 、综合 的测量技术、以及其对工艺流程控制 的影响和普遍应用的测量技 术的例子。并且还提 出了65nm 以及更小技术节点的测量技术以及工艺流程控制策略，在这些未 来的技术中，晶片工艺控制以及每个晶圆片方法调整预计将更加苛刻。 关键词：化学机械抛光；工艺控制；测量技术；流程控制技术 中图分类号 ：TM305．2 文献标识码 ：A 文章编号 ：1004—4507(2009)01—0019—09 Overview ofCM P ProcessControlStrategies LakshmananKaruppiah，BogdanSwedek，ManiThothadri，W ei—yungHsu (ThomasBrezoczky，AndAviRavid，AppliedMaterial，TFGDivision，Sunnyvale，CA) Abstract：ProcesscontrolandthemetrologytosupportithavegainedimportancewithCMP process increasingmaturity．MetrologyplaysacrucialroleinenablinganytypeofCMPprocessconrtol，and maybeimplementedindifferentwaysbasedonthemeasurementtechniquesused，itslocationinthe processflow andthetypeandamountofdatagenerated．Inthispaperwereview andprovideexamples ofthecommonlyusedmetrology，in—siut，extendedin—situ，integratedmetrology,anditscontributionto processcontro1．Alsoaddressed，arethemetrologyandprocesscontrolstrategiesforfuturetechnology nodes，65nnlandsmaller，wherewithinwaferprocesscontrolandrecipeadjustmentperwaferareex— pectedtobeevenmorecritica1． Keywords：CMP；ProcessControl；Mertoloyg ；ProcessConrtolStrategies CMP techn oloyg hasadvancedrapidly since it wafer，aswellasexpandingfromjustoxideandutng— firstbecamean industrystandardadecadeago．Over stenpolishtocopper，poly，low-kandotherdemand— theyears，thepolishing techn ology leaped to enable ingapplications．Themoverfom 200mlnto300ITIIT1 hjghuniformiyt thicknessprofilingcontrolacrossthe wasalsoamajormilestoneforthistechnoloyg．The 收稿 日期 ：2008．11-25