半导体物理笔记第四章30.docVIP

第四章 半导体的导电性 本章思路 一个概念：载流子散射的概念 一个运动：载流子漂移运动 一个规律：电阻率、电导率、迁移率随掺杂浓度与温度的变化规律 §1 载流子的漂移运动 迁移率 1、欧姆定律的微分形式——由于宏观样品不均匀，所以欧姆定律的宏观形式不可用 ，J为电流密度 2、漂移速度和迁移率 载流子在外电场E的作用下会顺（逆）着电场方向作定向运动——漂移运动。 图4.1 平均漂移速度分析模型 定向运动的速度称为漂移速度，记作 设平均漂移速度，在样品内作A、B两面， 面积S，则AB间隔为，AB面围成的体积，电子总数。设N经过t时间后均通过A面，则产生电流：，所以，联立，可得到，引入比例系数——单位E下，载流子的平均漂移速度，称为迁移率；则，。 迁移率大小反映载流子在外电场作用下其运动能力的强弱。为计算简单定义恒正。 为电导率与迁移率的关系 3、半导体内的电流密度与迁移率的关系 图4.2 电子和空穴漂移电流密度 由以上公式，一般半导体内： 对n型半导体： 对p型半导体： 对本征半导体： 在同种材料中，电子迁移率比空穴迁移率大 §2 载流子的散射 概念 半导体中的载流子在没有外电场作用时，做无规则热运动，与格点原子、杂质原子(离子)和其它载流子发生碰撞，用波的概念就是电子波在传播过程中遭到散射 导出：比较两式 ，可发现E一定时，J应为常数。但E一定时，，可得 为常数，则不断变化，J也随之变化，前后矛盾。所以必然有因素存在阻止了的变化，使J恒定。 载流子的运动→无电场时做无规则热运动 ↘有外电场时→一方面做定向漂移 ↘一方面遭遇散射——与格点原子碰撞 与杂质原子碰撞 与其他载流子碰撞 ↓ 由波动性，前进波遭到散射。由粒子性，碰撞使载流子的运动方向和运动速度不断发生变化 ↓ 漂移速度不能无限积累 ↓ 载流子加速运动只能在连续两次散射之间才存在 “自由”载流子：在连续两次散射之间的载流子 平均自由程：连续两次连续散射之间载流子运动的平均路程 平均自由时间：连续两次连续散射之间载流子所经历的平均时间 散射几率：单位时间一个载流子遭到散射的次数，记作P 半导体中的主要散射机构 固体物理理论认为载流子遭到散射的根本原因在于晶体中严格周期性排列势场遭到破坏，而产生了附加势场 ①电离杂质散射 电离杂质静电场改变载流子原有运动方向和运动速度 电离杂质散射的散射几率：，为离化杂质浓度，强电离补偿时为 说明： 对于经过杂质补偿的n型半导体，在杂质充分电离时，补偿后的有效施主浓度为ND-NA ，导带电子浓度n0=ND-NA，该材料表现为电子导电；而电离杂质散射几率Pi中的Ni应为ND+NA，因为此时施主和受主杂质全部电离，分别形成了正电中心和负电中心及其相应的库仑势场，它们都对载流子的散射作出了贡献，这一点与杂质补偿作用是不同的 ②晶格振动散射 一定温度下的晶体其格点原子(或离子)在各自平衡位置附近振动。半导体中格点原子的振动同样要引起载流子的散射，称为晶格振动散射。 格点原子的振动都是由被称作格波的若干个不同基本波动按照波的迭加原理迭加而成。 常用格波波矢|q|=1/λ表示格波波长以及格波传播方向。 晶体中一个格波波矢q对应了不止一个格波，对于Ge、Si、GaAs等常用半导体，一个原胞含二个原子，则一个q对应六个不同的格波。 由N个原胞组成的一块半导体，共有6N个格波，分成六支。 其中频率低的三支称为声学波，三支声学波中包含一支纵声学波和二支横声学波，声学波相邻原子做相位一致的振动。 频率高的三支称为光学波，三支光学波中包括一支