超大规模集成电路制造装备基础问题分析项目申报书推荐.doc

PAGE 项目名称： 超大规模集成电路制造装备基础问题研究 首席科学家： 雒建斌 清华大学 起止年限： 2009.1至2013.8 依托部门： 教育部 一、研究内容本项目以32nm及其以下线宽的IC制造装备所面临的纳米精度图形转移、超低应力平坦化、高密度封装、高速高精运动和超精密测量等关键共性技术为突破口，围绕下列三个重要科学问题展开研究： 科学问题一、纳米精度制造中的界面与尺度效应及精确控制 随IC制造未来向32nm及其以下线宽的推进，由尺寸效应而引起的铜导线的电阻率以指数关系上升。因此，互连结构的电阻和电容所引起的信号延迟效应越来越严重。超低k介电质材料的引入成为必然趋势。由于其与Cu力学性能的巨大差异，导致在图形转移、平坦化等工艺中界面问题成为关键瓶颈之一。在平坦化方面，如何在微区粗糙度、中等区域波纹度和大尺寸晶圆的全局平整度的三个跨尺度（纳米－微米－毫米）域中实现高精度控制、如何避免互连线损伤和界面剥离、如何在降低平坦化压力的情况下实现高效、大面积、均匀的材料去除等问题成为急需克服的屏障。同时，在作为图形高保真转移的关键方法之一，即纳米压印光刻方面，随线宽的缩小，界面的物理化学性能对阻蚀胶流变将产生很强的约束作用，其流变特性将显示出明显的尺度效应。为实现图形的高保真转移，界面的分子作用机制、纳米间隙流变规律、静电场诱导的分子自组装过程的界面行为等是急需研究的问题。 针对这些难点，设置两方面研究内容： 1）超低压力下异质表面纳米精度平坦化新原理与实现 针对32nm及以下线宽、晶圆直径300-450mm、Cu互连与超低k介质材料的超大规模集成电路制造，需要探索超低下压力化学机械平坦化（CMP）新原理、异质材料表面CMP过程中材料的原子尺度去除规律，揭示表面间的摩擦化学和机械的耦合作用对原子尺度材料去除的影响，探明原子逸出数目与分布规律、多场耦合下界面分子刷趋向与刚度控制机制、超低应力平坦化过程实现异质材料均匀、快速去除机制和纳米二相流的流动规律等问题。从而提出新的超低应力平坦化方法、研制出新的CMP系统。拟研究五个部分内容： 原子尺度（?级）材料的去除机制； 超低应力平坦化新方法 — 柔性分子刷； 超低应力平坦化中界面行为与损伤控制； 外电场辅助全局平坦化的原理和方法； 超低应力平坦化的原理样机及工艺实现。 2）纳米结构的外场诱导流变成形规律与控制 电场和紫外光诱导的流变图形化过程将纳米结构的图形模板以纳米间距置于高分子材料(阻蚀胶)膜的上方，施加静电场驱动阻蚀胶分子在基材表面的运动聚集，形成图形，再以紫外光将液态的分子膜固化定型。这种图形化方法的本质是外场诱导的纳米尺度几何约束形变过程，其阻蚀胶与各工艺要素的交互作用与现有光学投影光刻过程中有显著不同。光学光刻过程中的阻蚀胶在激光能的作用下仅发生原位化学或物理作用。而在外场诱导流变成形时，阻蚀胶首先必须经历力学流变，然后在外部光能场的照射下发生光聚合固化反应。提高图形化效率，需要施加激光和热场等辅助能量形式，以提高分子的自由能。显然，在这种新的纳米结构图形化过程中，纳米尺度下的界面约束作用、流变规律和控制是核心问题。因此，拟展开以下研究： 纳米尺度空间材料的流变行为； 纳米成形中界面分子作用的规律及外场诱导机制； 成形过程结构的几何形状及物理特性演变规律； 纳米成形中的外场传输控制与装备实现。 科学问题二、纳尺度键合的快速能量通道形成机制与性能调控 为满足封装向系统集成、小型化、超薄化方向发展，基于引线键合的芯片堆叠三维封装和基于倒装互连的高密度封装将成为32 nm及以下IC封装的主流工艺。预计到2013年，晶圆厚度将降低到40 μm，凸点间距（pitch）降低到15 μm，三维封装最小厚度减小到0.5 mm，倒装芯片的I/O数增至5000个/cm2，封装的空间约束将发生根本变化，键合过程的复杂性也更加突出，对现有的键合原理和技术提出了挑战，如：三维堆叠芯片悬梁键合在非稳定状态下，多形态能量如何输入？键合界面如何响应？稳定可靠的超低弧引线如何成形？高密度超细凸点倒装键合中，热、力、流体、运动等多物理量如何精确控制？机械振动、温度变化等环境因素对超薄芯片多自由度精密操作的影响等等，需要研究“高密度封装多能场复合作用机制” 这一核心科学问题，主要研究内容包括： 1) 超薄芯片叠层组合互连中多域能量传递与键合形成 三维封装中堆叠芯片导致悬梁键合和超低弧引线等特殊需求，使互连的可靠性、稳定性要求大幅提高，迫切需要解决：1)芯片悬梁键合的动力学参数匹配问题。悬臂末端位移过大（50μm），超声加载过程中悬臂处于振动状态，导致互连失效、强度降低、悬臂硅片裂纹等问题；2)超低弧(Ultra-low-loop)引线稳定性。超薄芯片、悬臂下面的引线和整个封装高度的降低，都需要发展75