第1章常用半导体器件汇.ppt

2、掌握PN结的单向导电性 (2)PN结加反向电压（反向偏置） (2)PN结加反向电压（反向偏置） 3.了解PN结的电流方程 4.掌握PN结的伏安特性 5.了解PN结的电容效应 5.了解PN结的电容效应 5.了解PN结的电容效应 二、重点掌握伏安特性 三、了解主要参数 有正向电流流过时发光。电－＞光的能量转换器件。 电路中常用做指示或显示及光信息传送。 1. 各电极电流分配关系及电流放大作用 三、晶体管的共射特性曲线 四、了解晶体管的主要参数 共射交流电流放大系数 1.4 场效应管(FET) 结型场效应管JFET N沟道结型场效应管 P沟道结型场效应管 绝缘栅型场效应管MOS 增强型 N 沟道增强型MOS管 P 沟道增强型MOS管 耗尽型 N 沟道耗尽型MOS管 P沟道耗尽型MOS管 一、结型场效应管JFET 1、 结构及电路符号 （1）输出特性曲线： iD=f（uDS ）│UGS=常数 三、场效应管的主要参数 四、场效应管与晶体管的比较 二极管电路分析举例 　　IGFET(Insulated Gate Field Effect Transistor) 　　MOS(Metal-Oxide-Semiconductor) 应用：集成电路 分类： 　N沟道增强型 　N沟道耗尽型 　P沟道增强型 　P沟道耗尽型　 二、绝缘栅型场效应管 取一块P型半导体作为衬底，用B表示。 用氧化工艺生成一层SiO2 薄膜绝缘层。 然后用光刻工艺腐蚀出两个孔。 扩散两个高掺杂的N区。 　　从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。 在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。 符号 D G S B 形成两个PN结。（绿色部分） 结构 1、N沟道增强型MOS管 令漏源电压uDS=0，加入栅源电压uGS。 uGS排斥空穴，形成一层负离子层（耗尽层）。 感生电子电荷，在漏源之间形成导电沟道。称为反型层。 若加上uDS ，就会有漏极电流 iD产生。 反型层 工作原理 （1）栅源电压uGS的控制作用 工作原理 （1）栅源电压uGS的控制作用 当uGS较小时， iD＝0 当uGS增加到一定数值使 iD 刚刚出现，对应的UGS称为开启电压，用UGS(th)或UT表示。 改变uGS－＞改变沟道－＞影响iD ：uGS对iD有控制作用。 设uGS＞UGS(th)，增加uDS，沟道变化如下： uDS从漏到源逐渐降落在沟道内，漏极和衬底之间反偏最大，PN结的宽度最大。 漏源之间会形成一个倾斜的PN结区。 预夹断 工作原理 （2）漏源电压uDS的控制作用 预夹断 uDS UDS再　， ID基本不变，增加的UDS基本上降落在夹断区。 转移特性曲线 （3）N沟道增强型MOS管特性曲线 iD = f ( uGS )? UDS=const O V 2 GS = U V 3 + V 5 . 3 + V 4 + D I mA / 15 10 5 D U /V 恒流区 . 夹断区 可变电阻区 工作原理 输出特性曲线 iD = f ( uD )? UGS=const S D G P N + N + S i O 2 型衬底 B +++++++++ 在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了一定量的正离子。 结构和符号 当uGS=0时，这些正离子已经感生出电子形成导电沟道。只要有漏源电压，就有漏极电流存在。 2、N沟道耗尽型MOS管 D G S B 1.光电二极管 反向电流随光照强度的增加而上升。 I U 照度增加 六、其他类型二极管 七段显示发光二极管 3.发光二极管 符号 六、其他类型二极管 e：发射区 b：基区 c：集电区 集电结 发射结 基区 集电区 发射区 三极: 三区: 两结: 发射极e(Emitter), 基极b(Base), 集电极c(Collector) 发射结 集电结 1.3 晶体三极管 一、晶体管的结构及类型 N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 B E C B E C PNP型 P P N 两种类型:NPN和PNP PNP电路符号 NPN电路符号 B E C IB IE IC B E C IB IE IC 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: IE = IC +IB IC = β IB IE